TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics | Lanza et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 108 http content 6 1 108 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Polycrystallization effects on the nanoscale electrical properties of high-k dielectrics Mario Lanza Vanessa Iglesias Marc Porti Montse Nafria Xavier Aymerich Abstract In this study atomic force microscopy-related techniques have been used to investigate at the nanoscale how the polycrystallization of an Al2O3-based gate stack after a thermal annealing process affects the variability of its electrical properties. The impact of an electrical stress on the electrical conduction and the charge trapping of amorphous and polycrystalline Al2O3 layers have been also analyzed. Introduction To reduce the excess of gate leakage currents in metal-oxide-semiconductor MOS devices the ultra thin SiO2 gate oxide is replaced by other high-k dielectric materials 1 . However high-k-based devices still show some drawbacks and therefore to have a better knowledge of their properties and to improve their performance a detailed electrical characterization is required. Many researches have been devoted to the study of the electrical characteristics of high-k gate dielectrics mainly using standard wafer level characterization techniques on fully processed MOS capacitors or transistors 1-4 . However since the lateral dimensions of complementary MOS devices are shrinking to a few tens of nanometers or below for a detailed and profound characterization advanced methods with a large lateral resolution are required. In this direction conductive atomic force microscope CAFM as demonstrated for SiO2 and other insulators 5-14 is a very promising tool which allows for a nanometer-resolved characterization of the electrical and topographical properties of the gate oxide. Characterization at the nanoscale allows us to study which factors determine the electrical properties of the dielectric stack and details on how they affect .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học