TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Chemical characterization of extra layers at the interfaces in MOCVD InGaP/GaAs junctions by electron beam methods"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Chemical characterization of extra layers at the interfaces in MOCVD InGaP/GaAs junctions by electron beam methods | Frigeri et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 194 http content 6 1 194 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Chemical characterization of extra layers at the interfaces in MOCVD InGaP GaAs junctions by electron beam methods Cesare Frigeri1 Alexey Aleksandrovich Shakhmin2 Dmitry Anatolievich Vinokurov2 Maria Vladimirovna Zamoryanskaya2 Abstract Electron beam methods such as cathodoluminescence CL that is based on an electron-probe microanalyser and 200 dark field and high angle annular dark field HAADF in a scanning transmission electron microscope are used to study the deterioration of interfaces in InGaP GaAs system with the GaAs QW on top of InGaP. A CL emission peak different from that of the QW was detected. By using HAADF it is found that the GaAs QW does not exist any longer being replaced by extra interlayer s that are different from GaAs and InGaP because of atomic rearrangements at the interface. The nature and composition of the interlayer s are determined by HAADF. Such changes of the nominal GaAs QW can account for the emission observed by CL. Introduction Several devices such as HBTs HEMTs solar cells and LEDs are currently based on InGaP GaAs heterojunction because of its superior properties with respect to AlGaAs 1-4 . The InGaP GaAs system especially if it is grown by metal organic vapour phase deposition MOCVD has however the drawback that the interfaces between InGaP and GaAs are deteriorated as shown by photoluminescence X-ray diffraction and transmission electron microscopy TEM because there is no common group V element across the interface 5 . This mostly affects the inverted GaAs-on-InGaP interface where an unwanted extra interlayer forms which recombines the minority carriers more efficiently than the GaAs quantum well 5-10 . The normal InGaP-on-GaAs interface is always good but this is not sufficient to guarantee reliable device performance. The deterioration of the inverted

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học