TAILIEUCHUNG - Câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất

Cùng tham khảo tài liệu "Câu hỏi trắc nghiệm Điện tử công suất", tài liệu này gồm 143 câu hỏi trắc nghiệm giúp bạn hệ thống lại các kiến thức cơ bản về điện tử công suất. | CÂU HỎI TRẮC NGHIỆM MÔN ĐIỆN TỬ CÔNG SUẤT_NEW Chương 1 Mở đầu 1. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng năng lượng thất thoát trong thời gian khởi dẫn là a. WSWON 6 c WSWON 3 b. WSWON 1 V . . swon 6 d. WSWON 3 tswoịf 2. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng năng lượng thất thoát trong thời gian khởi ngưng là a. WSWOFF 1 V c. WSWOFF 3 V . . swon b. WSWOFF 1 V . . swon 6 d. WSWOFF 3 3. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng năng lượng thất thoát trong một chu kỳ giao hoán là a. WSW 3 tswon tswoff c. WSW 2 V. tswon tswoff b. WSW V . swon tswoff 6 d. WSW V. tswon tswoff 4. Đối với một công tắc bán dẫn lý tưởng công suất tiêu tán trong một chu kỳ giao hoán là a. PSW 3 VI tswon tswoff f c. PSW VI tswon tswoff 6 b. PSW 2 VI tswon tswoff f d. PSW VI tswon tswoff f 5. Công suất thất thoát tổng cộng của một diode được tính a. PT PON POFF PSW b. Pt VfIf T d. PT 6 VF max IF max t swon i swof f c P V I of c. PT VR1R T 6. 7. 8. Transistor công suất BJT được xem như là một công tắc bán dẫn có khả năng chịu được dòng điện lớn nên điện tính trong vùng phát phải thật lớn nên a. Transistor được thiết kế độ rộng vùng phát hẹp để giảm điện trở nền ký sinh b. Transistor có cấu trúc xen kẻ interdigitated structure của nhiều cực nền và cực phát c. Transistor có điện trở cực phát rất nhỏ d. Cả ba câu trên đều đúng Phát biểu nào sau đây thì đúng về đặc tính của transistor BJT công suất a. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ dòng thu càng nhỏ độ lợi càng nhỏ b. Độ lợi dòng lớn còn tuỳ thuộc vào dòng thu và nhiệt độ dòng thu càng lớn độ lợi càng lớn c. Ngoài hiện tượng huỷ thác do phân cực nghịch còn có hiện tượng huỷ thác thứ cấp do transistor hoạt động ở điện thế và dòng lớn d. Cả ba câu trên đều đúng Công suất thất thoát khi Transistor công suất BJT khi dẫn bảo hoà sẽ là 9. a. PON tycEbhl-CM VBEbh t IB B T b. P VCCI T d. Poon VccIcM T c. PON VCEbhICM VCEbhI T Công suất thất thoát khi Transistor công suất BJT ngưng dẫn và dòng

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.