TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Anisotropic in-plane spin splitting in an asymmetric (001) GaAs/AlGaAs quantum well"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Anisotropic in-plane spin splitting in an asymmetric (001) GaAs/AlGaAs quantum well | Ye et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 520 http content 6 1 520 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Anisotropic in-plane spin splitting in an asymmetric 001 GaAs AlGaAs quantum well 1 1 1 1 3 1 Huiqi Ye Changcheng Hu Gang Wang Hongming Zhao Haitao Tian Xiuwen Zhang Wenxin Wang and Baoli Liu 1 Abstract The in-plane spin splitting of conduction-band electron has been investigated in an asymmetric 001 GaAs AlxGa1-xAs quantum well by time-resolved Kerr rotation technique under a transverse magnetic field. The distinctive anisotropy of the spin splitting was observed while the temperature is below approximately 200 K. This anisotropy emerges from the combined effect of Dresselhaus spin-orbit coupling plus asymmetric potential gradients. We also exploit the temperature dependence of spin-splitting energy. Both the anisotropy of spin splitting and the in-plane effective g-factor decrease with increasing temperature. PACS . a Keywords quantum beats spin-orbit coupling magnetic properties of nanostructures optical creation of spin polarized Introduction The properties of spins in semiconductor materials have attracted much more attentions since the invention of spintronics and spin-based quantum information 1-3 . In those fields the spin-orbit coupling SOC plays a key role on the properties of spin states in bulk and lowdimensional semiconductor materials. It not only results in the zero-magnetic field spin splitting which is the main source of the spin relaxation through D yakonov-Perel DP mechanism and novel phenomenon such as the generation of the spin current 4 but also significantly affects the spin splitting with an external magnetic field B 0. In general the spin splitting of electron or hole at B 0 in semiconductor is described by a finite Zeeman splitting energy and characterized by the effective g-factor which is necessary for the spin manipulation and .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.