TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Influence of the oxide layer for growth of self-assisted InAs nanowires on Si(111)"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Influence of the oxide layer for growth of self-assisted InAs nanowires on Si(111) | Madsen et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 516 http content 6 1 516 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Influence of the oxide layer for growth of self-assisted InAs nanowires on Si 111 Morten Hannibal Madsen 1 Martin Aagesen2 Peter Krogstrup1 Claus Sorensen1 and Jesper Nygard1 Abstract The growth of self-assisted InAs nanowires NWs by molecular beam epitaxy MBE on Si 111 is studied for different growth parameters and substrate preparations. The thickness of the oxide layer present on the Si 111 surface is observed to play a dominant role. Systematic use of different pre-treatment methods provides information on the influence of the oxide on the NW morphology and growth rates which can be used for optimizing the growth conditions. We show that it is possible to obtain 100 growth of vertical NWs and no parasitic bulk structures between the NWs by optimizing the oxide thickness. For a growth temperature of 460 C and a V III ratio of 320 an optimum oxide thickness of 9 3 A is found. 1 Introduction Nanowires NWs can potentially improve the efficiency of devices . in photonics 1 energy storage 2 bio sensing 3 and high-speed electronics 4 and most likely such applications will require integration with siliconbased platforms. For some of the applications a high density of uniform NWs without any parasitic growth is needed. The vast majority of NW growth research has been using Au as the collector particle. Recently selfassisted NW growth of both GaAs and InAs on Si 111 has been reported for MBE directly on oxide 5-8 from e-beam lithography defined holes in the oxide layer 9-11 and on bare substrates 12 and also self-assisted InAs NW growth by MOCVD has been reported 13-15 . For this study we concentrate on growth of selfassisted InAs NWs since InAs NWs have superior properties for electron transport devices compared to most other III-V materials 4 . It is furthermore of great interest to combine the

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học