TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Effects of silver impurity on the structural, electrical, and optical properties of ZnO nanowires"

Tuyển tập các báo cáo nghiên cứu về hóa học được đăng trên tạp chí hóa hoc quốc tế đề tài : Effects of silver impurity on the structural, electrical, and optical properties of ZnO nanowires | Kim et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 552 http content 6 1 552 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Effects of silver impurity on the structural electrical and optical properties of ZnO nanowires Kyoungwon Kim1 2 Pulak Chandra Debnath1 3 Deuk-Hee Lee1 2 Sangsig Kim2 3 and Sang Yeol Lee3 4 Abstract 1 3 and 5 wt. silver-doped ZnO SZO nanowires NWs are grown by hot-walled pulsed laser deposition. After silver-doping process SZO NWs show some change behaviors including structural electrical and optical properties. In case of structural property the primary growth plane of SZO NWs is switched from 002 to 103 plane and the electrical properties of SZO NWs are variously measured to be about X 106 X 106 and X 105 Q for 1 3 and 5 SZO NWs respectively. In other words the electrical properties of SZO NWs depend on different Ag ratios resulting in controlling the carrier concentration. Finally the optical properties of SZO NWs are investigated to confirm p-type semiconductor by observing the exciton bound to a neutral acceptor A0X . Also Ag presence in ZnO NWs is directly detected by both X-ray photoelectron spectroscopy and energy dispersive spectroscopy. These results imply that Ag doping facilitates the possibility ofchanging the properties in ZnO NWs by the atomic substitution of Ag with Zn in the lattice. 1. Introduction As an important II-VI semiconductor ZnO is a promising material for the use in ultraviolet or visible optoelectronic device because of its large exciton binding energy 60 meV and direct wide band gap eV 1-4 . For decade ZnO NWs have attracted a considerable amount of research interest because of the potential applications for nano-scale optoelectronic devices such as light emitting diodes LED field effect transistors FETs solar cells and ultraviolet UV lasers 5-7 . Compared with thin film structures one-dimensional 1D semiconductor devices such as nanotube 8 .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.