TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Properties and applications of quantum dot heterostructures grown by molecular beam epitaxy"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Properties and applications of quantum dot heterostructures grown by molecular beam epitaxy | Nanoscale Res Lett 2006 1 32-45 DOI s11671-006-9017-5 NANO REVIEW Properties and applications of quantum dot heterostructures grown by molecular beam epitaxy M. Henini Published online 26 July 2006 to the authors 2006 Abstract One of the main directions of contemporary semiconductor physics is the production and study of structures with a dimension less than two quantum wires and quantum dots in order to realize novel devices that make use of low-dimensional confinement effects. One of the promising fabrication methods is to use selforganized three-dimensional 3D structures such as 3D coherent islands which are often formed during the initial stage of heteroepitaxial growth in lattice-mismatched systems. This article is intended to convey the flavour of the subject by focussing on the structural optical and electronic properties and device applications of self-assembled quantum dots and to give an elementary introduction to some of the essential characteristics. Keywords Heterostructures Semiconductors Self-assembly Quantum dots Lasers Optoelectronics Introduction It is well known that quantum confinement of charge carriers arises from a potential well in the band edges when the well width typically a few hundred Angstroms is comparable to the de Broglie wavelength of the carriers. The decreased dimensionality of the free-carrier motion . confinement results in the density of states DOS of the carriers being modified. The DOS gives a measure of the maximum number of M. Henini El School of Physics and Astronomy University of Nottingham Nottingham NG7 2RD UK e-mail carriers that can occupy an energy range. The DOS due to carrier motion in the x y and z directions of the active region in a double heterostructure DH laser is schematically shown in Fig. 1 a . It can be seen that for a given band conduction band CB or valence band VB the DOS is small near the edge of the band and increases with increasing energy. By reducing the

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học