TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Mechanical Deformation Induced in Si and GaN Under Berkovich Nanoindentation"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Mechanical Deformation Induced in Si and GaN Under Berkovich Nanoindentation | Nanoscale Res Lett 2008 3 6-13 DOI s11671-007-9106-0 NANO EXPRESS Mechanical Deformation Induced in Si and GaN Under Berkovich Nanoindentation Sheng-Rui Jian Received 3 September 2007 Accepted 12 November 2007 Published online 27 November 2007 to the authors 2007 Abstract Details of Berkovich nanoindentation-induced mechanical deformation mechanisms of single-crystal Si 100 and the metal-organic chemical-vapor deposition MOCVD derived GaN thin films have been systematic investigated by means of micro-Raman spectroscopy and cross-sectional transmission electron microscopy XTEM techniques. The XTEM samples were prepared by using focused ion beam FIB milling to accurately position the cross-section of the nanoindented area. The behaviors of the discontinuities displayed in the loading and unloading segments of the load-displacement curves of Si and GaN thin films performed with a Berkovich diamond indenter tip were explained by the observed microstructure features obtained from XTEM analyses. According to the observations of micro-Raman and XTEM the nanoindentation-induced mechanical deformation is due primarily to the generation and propagation of dislocations gliding along the pyramidal and basal planes specific to the hexagonal structure of GaN thin films rather than by indentation-induced phase transformations displayed in Si. Keywords Si GaN Nanoindentation Micro-Raman spectroscopy Focused ion beam Cross-sectional transmission electron microscopy . Jian H Department of Materials Science and Engineering I-Shou University Syuecheng Rd. Dashu Township Kaohsiung 840 Taiwan e-mail srjian@ Introduction The development of nanotechnology and microsystems has relied in many ways on the major progresses accomplished in surface science and materials science. In the past much effort has been devoted to characterizing the optical electrical and magnetic characteristics of the resultant structures and devices. The successful fabrication of .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.