TAILIEUCHUNG - Fabrication Of Microfluidic Systems In Poly (dimethuylsiloxane)

The first reported CMOS-MEMS processes produce microstructural sidewalls by stacking the drain/source con- tact cut and metal via cuts in the CMOS and removing the metallization layers above the cuts [13]. The substrate is exposed in the cut regions. A wet or dry isotropic silicon etch undercuts and releases the microstructures. Gaps between microstructures are limited to several microns because of artifacts in the etch pits from etching metal above the CMOS contacts. Such microstructures are com- monly used to make thermally isolated and vertically actu- ated structures integrated with electronics. A modification of the original CMOS-MEMS process is shown in Figure 10 [14]. The first post-CMOS microma- chining step is a.

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.