TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: "Surface-Related States in Oxidized Silicon Nanocrystals Enhance Carrier Relaxation and Inhibit Auger Recombination"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Surface-Related States in Oxidized Silicon Nanocrystals Enhance Carrier Relaxation and Inhibit Auger Recombination | Nanoscale Res Lett 2008 3 315-320 DOI S11671-008-9159-8 NANO EXPRESS Surface-Related States in Oxidized Silicon Nanocrystals Enhance Carrier Relaxation and Inhibit Auger Recombination Andreas Othonos Emmanouil Lioudakis A. G. Nassiopoulou Received 15 July 2008 Accepted 14 August 2008 Published online 3 September 2008 to the authors 2008 Abstract We have studied ultrafast carrier dynamics in oxidized silicon nanocrystals NCs and the role that surface-related states play in the various relaxation mechanisms over a broad range of photon excitation energy corresponding to energy levels below and above the direct bandgap of the formed NCs. Transient photoinduced absorption techniques have been employed to investigate the effects of surface-related states on the relaxation dynamics of photogenerated carriers in nm oxidized silicon NCs. Independent of the excitation photon energy non-degenerate measurements reveal several distinct relaxation regions corresponding to relaxation of photoexcited carriers from the initial excited states the lowest indirect states and the surface-related states. Furthermore degenerate and nondegenerate measurements at difference excitation fluences reveal a linear dependence of the maximum of the photoinduced absorption PA signal and an identical decay suggesting that Auger recombination does not play a significant role in these nanostructures even for fluence generating up to 20 carriers NC. Keywords Silicon nanocrystals Carrier dynamics Ultrafast spectroscopy Surface-related states Auger recombination A. Othonos El E. Lioudakis Department of Physics Research Center of Ultrafast Science University of Cyprus . Box 20537 1678 Nicosia Cyprus e-mail othonos@ A. G. Nassiopoulou IMEL NCSR Demokritos Terma Patriarchou Grigoriou Aghia Paraskevi 153 10 Athens Greece Introduction Silicon is the basic material of today s integrated circuit technology. However one of the major drawbacks of this indirect gap semiconductor is its .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.