TAILIEUCHUNG - báo cáo hóa học:" Electrical characterization and nanoscale surface morphology of optimized Ti/Al/Ta/Au ohmic contacts for AlGaN/GaN HEMT"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Electrical characterization and nanoscale surface morphology of optimized Ti/Al/Ta/Au ohmic contacts for AlGaN/GaN HEMT | Nanoscale Research Letters SpringerOpen0 This Provisional PDF corresponds to the article as it appeared upon acceptance. Fully formatted PDF and full text HTML versions will be made available soon. Electrical characterization and nanoscale surface morphology of optimized Ti Al Ta Au ohmic contacts for AlGaN GaN HEMT Nanoscale Research Letters 2012 7 107 doi 1556-276X-7-107 Cong Wang kevinhunter0414@ Nam-Young Kim nykim@ ISSN 1556-276X Article type Nano Express Submission date 22 July 2011 Acceptance date 7 February 2012 Publication date 7 February 2012 Article URL http content 7 1 107 This peer-reviewed article was published immediately upon acceptance. It can be downloaded printed and distributed freely for any purposes see copyright notice below . Articles in Nanoscale Research Letters are listed in PubMed and archived at PubMed Central. For information about publishing your research in Nanoscale Research Letters go to http authors instructions For information about other SpringerOpen publications go to http 2012 Wang and Kim licensee Springer. This is an open access article distributed under the terms of the Creative Commons Attribution License http licenses by which permits unrestricted use distribution and reproduction in any medium provided the original work is properly cited. Electrical characterization and nanoscale surface morphology of optimized Ti Al Ta Au ohmic contact for AlGaN GaN HEMT Cong Wang1 and Nam-Young Kim 1 1RFIC Centre Kwangwoon University 617-2 Bima-Kwan 26 Kwangwon-Gil Nowon-Ku Seoul South Korea Corresponding author nykim@ Email addresses CW kevinhunter0414@ N-YK nykim@ Abstract Good ohmic contacts with low contact resistance smooth surface morphology and a well-defined edge profile are essential to ensure optimal device performances for the AlGaN GaN high electron mobility transistors HEMTs .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• báo cáo khoa học
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học nông nghiệp
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành sinh học
• báo cáo ngành vật lý
• phân tích nhiệt
• báo cáo ngành chăn nuôi
• nghiên cứu khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• công nghiệp hóa
• hiện đại hóa
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• phát triển kinh tế
• báo cáo ngành kỹ thuật
• báo cáo về tin học
• báo cáo tiếng anh
• báo cáo kỹ thuật
• báo cáo sinh học
• báo cáo nông nghiệp
• báo cáo văn học