TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Micro-Raman Mapping of 3C-SiC Thin Films Grown by Solid–Gas Phase Epitaxy on Si (111)"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Micro-Raman Mapping of 3C-SiC Thin Films Grown by Solid–Gas Phase Epitaxy on Si (111) | Nanoscale Res Lett 2010 5 1507-1511 DOI s11671-010-9670-6 NANO EXPRESS Micro-Raman Mapping of 3C-SÌC Thin Films Grown by Solid-Gas Phase Epitaxy on Si 111 T. S. Perova J. Wasyluk S. A. Kukushkin A. V. Osipov N. A. Feoktistov S. A. Grudinkin Received 5 May 2010 Accepted 7 June 2010 Published online 20 June 2010 The Author s 2010. This article is published with open access at Abstract A series of 3C-SiC films have been grown by a novel method of solid-gas phase epitaxy and studied by Raman scattering and scanning electron microscopy SEM . It is shown that during the epitaxial growth in an atmosphere of CO 3C-SiC films of high crystalline quality with a thickness of 20 nm up to few hundreds nanometers can be formed on a 111 Si wafer with a simultaneous growth of voids in the silicon substrate under the SiC film. The presence of these voids has been confirmed by SEM and micro-Raman line-mapping experiments. A significant enhancement of the Raman signal was observed in SiC films grown above the voids and the mechanisms responsible for this enhancement are discussed. Keywords 3C-SiC Voids in SiC Micro-Raman spectroscopy Micro-Raman mapping Introduction Silicon carbide SiC is a very attractive material for the fabrication of microelectronic and optoelectronic devices due to its wide bandgap high thermal conductivity T. S. Perova J. Wasyluk Department of Electronic and Electrical Engineering University of Dublin Trinity College Dublin 2 Ireland e-mail perovat@ S. A. Kukushkin A. V. Osipov Institute of Problems of Mechanical Engineering Russian Academy of Sciences IPME RAS Bolshoy 61 . 199178 St. Petersburg Russia N. A. Feoktistov S. A. Grudinkin Ioffe Physical Technical Institute Polytechnicheskaya ul. 26 194021 St. Petersburg Russia excellent thermal and chemical stability and its resistance to radiation damage and electrical breakdown 1 . SiC has over 170 different polytypes 2 . The most common forms are 4H 6H known as the hexagonal .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• báo cáo khoa học
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học nông nghiệp
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành sinh học
• báo cáo ngành vật lý
• phân tích nhiệt
• báo cáo ngành chăn nuôi
• nghiên cứu khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• công nghiệp hóa
• hiện đại hóa
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• phát triển kinh tế
• báo cáo ngành kỹ thuật
• báo cáo về tin học
• báo cáo tiếng anh
• báo cáo kỹ thuật
• báo cáo sinh học
• báo cáo nông nghiệp
• báo cáo văn học