TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device | dos Santos et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 101 http content 6 1 101 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Circular polarization in a non-magnetic resonant tunneling device 1 1 1 1 1 Lara F dos Santos Yara Galvão Gobato Márcio D Teodoro Victor Lopez-Richard Gilmar E Marques I c D D r r i I 2 ỉt I -s r I i -f- - 3 6 I -s IXI I 3 6 Ch I II 1 IX Z X3 h ỉ r I I_I I A ir v 5 Maria JSP Brasil Milan Orlita Jan Kunc Duncan K Maude Mohamed Henini Robert J Airey Abstract We have investigated the polarization-resolved photoluminescence PL in an asymmetric n-type GaAs AlAs GaAlAs resonant tunneling diode under magnetic field parallel to the tunnel current. The quantum well QW PL presents strong circular polarization values up to -70 at 19 T . The optical emission from GaAs contact layers shows evidence of highly spin-polarized two-dimensional electron and hole gases which affects the spin polarization of carriers in the QW. However the circular polarization degree in the QW also depends on various other parameters including the g-factors of the different layers the density of carriers along the structure and the Zeeman and Rashba effects. Introduction The understanding of the physics governing the dynamics of spin-polarized carriers in semiconductor structures is a fundamental issue for the development of new spintronic devices. In the past years several systems have been proposed for spin-based devices including magnetic metal semiconductor junctions all metallic devices and all semiconductor systems 1-10 . However the change of the polarization requires the use of an applied external magnetic field to change the contact magnetization. For some device applications it would be interesting to have devices where the spin character of the injected or detected electrons could be voltage selected. One possible approach to achieve this goal is based on resonant tunneling diodes RTDs because the spin character of

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.