TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Effects of low-temperature capping on the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum wells"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Effects of low-temperature capping on the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum wells | Jo et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 76 http content 6 1 76 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Effects of low-temperature capping on the optical properties of GaAs AlGaAs quantum wells Masafumi Jo Guotao Duan Takaaki Mano Kazuaki Sakoda Abstract We study the effects of low-temperature capping 200-450 C on the optical properties of GaAs AlGaAs quantum wells. Photoluminescence measurements clearly show the formation of abundant nonradiative recombination centers in an AlGaAs capping layer grown at 200 C while there is a slight degradation of the optical quality in AlGaAs capping layers grown at temperatures above 350 C compared to that of a high-temperature capping layer. In addition the optical quality can be restored by post-growth annealing without any structural change except for the 200 C-capped sample. Introduction Self-assembled semiconductor nanostructures have attracted tremendous interest due to their excellent electronic and optical properties. Since the properties of nanostructures strongly depend on their size shape and composition it is important to reduce the morphological change of nanostructures during the capping process. In this context much research has recently focused on low-temperature capping with less atomic intermixing although it is commonly believed that the crystalline quality of the capping layer deteriorates quickly with decreasing temperature. Droplet epitaxy is a self-assembled growth technique based on the formation of metallic droplets followed by crystallization into semiconductor quantum dots QDs 1-13 . Droplet epitaxy allows the self-assembly of QDs in lattice-matched systems such as GaAs AlGaAs which is unattainable in a conventional Stranski-Krastanow growth mode. In the growth of GaAs AlGaAs QDs various quantum structures such as monomodal dots 3 single multiple rings 4 8 9 and nanoholes 10-13 have been derived by controlling the As pressure and .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.