TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Effects of low-temperature capping on the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum wells"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Effects of low-temperature capping on the optical properties of GaAs/AlGaAs quantum wells | Jo et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 76 http content 6 1 76 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Effects of low-temperature capping on the optical properties of GaAs AlGaAs quantum wells Masafumi Jo Guotao Duan Takaaki Mano Kazuaki Sakoda Abstract We study the effects of low-temperature capping 200-450 C on the optical properties of GaAs AlGaAs quantum wells. Photoluminescence measurements clearly show the formation of abundant nonradiative recombination centers in an AlGaAs capping layer grown at 200 C while there is a slight degradation of the optical quality in AlGaAs capping layers grown at temperatures above 350 C compared to that of a high-temperature capping layer. In addition the optical quality can be restored by post-growth annealing without any structural change except for the 200 C-capped sample. Introduction Self-assembled semiconductor nanostructures have attracted tremendous interest due to their excellent electronic and optical properties. Since the properties of nanostructures strongly depend on their size shape and composition it is important to reduce the morphological change of nanostructures during the capping process. In this context much research has recently focused on low-temperature capping with less atomic intermixing although it is commonly believed that the crystalline quality of the capping layer deteriorates quickly with decreasing temperature. Droplet epitaxy is a self-assembled growth technique based on the formation of metallic droplets followed by crystallization into semiconductor quantum dots QDs 1-13 . Droplet epitaxy allows the self-assembly of QDs in lattice-matched systems such as GaAs AlGaAs which is unattainable in a conventional Stranski-Krastanow growth mode. In the growth of GaAs AlGaAs QDs various quantum structures such as monomodal dots 3 single multiple rings 4 8 9 and nanoholes 10-13 have been derived by controlling the As pressure and .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học