TAILIEUCHUNG - Nghiên cứu tính chất quang của các cấu trúc dạng đai lai hóa ZnS-ZnO chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt

Bài viết Nghiên cứu tính chất quang của các cấu trúc dạng đai lai hóa ZnS-ZnO chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt trình bày việc chế tạo các cấu trúc dạng đai ZnS-ZnO bằng phương pháp bốc bay nhiệt nhằm nghiên cứu tính chất quang của chúng, định hướng ứng dụng trong việc chế tạo đi-ốt phát sáng tử ngoại. | Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2018. ISBN 978-604-82-2548-3 NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT QUANG CỦA CÁC CẤU TRÚC DẠNG ĐAI LAI HÓA ZnS-ZnO CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP BỐC BAY NHIỆT Nguyễn Văn Nghĩa1 Nguyễn Duy Hùng2 1 Trường Đại học Thủy lợi email nghiangvan@ 2 Viện Tiên tiến Khoa học và Công nghệ AIST Trường Đại học Bách Khoa Hà Nội 1. GIỚI THIỆU CHUNG 3. KẾT QUẢ NGHIÊN CỨU ZnS và ZnO đều là các bán dẫn thuộc Hình thái của các mẫu thu được từ ảnh nhóm AIIBVI được ứng dụng nhiều trong chụp qua kính hiển vi điện tử quét cho thấy quang điện tử. Độ rộng vùng cấm của ZnS các cấu trúc có dạng đai với bề rộng dưới 1 là cỡ 3 7 eV trong khi của ZnO cỡ 3 3 eV μm. Bề mặt của các đai là nhẵn nên có thể 2 cả hai bán dẫn này đều thích hợp cho các tinh thể ZnO và ZnS liên kết với nhau ứng dụng chế tạo các đi-ốt phát xạ tử ngoại. bên trong các đai. Với các cấu trúc lai hóa giữa hai bán dẫn này thường cho các tính chất quang mới hoặc cường độ huỳnh quang được tăng cường. Trong bài báo này chúng tôi chế tạo các cấu trúc dạng đai ZnS-ZnO bằng phương pháp bốc bay nhiệt nhằm nghiên cứu tính chất quang của chúng định hướng ứng dụng trong việc chế tạo đi-ốt phát sáng tử ngoại. 2. PHƯƠNG PHÁP NGHIÊN CỨU Các mẫu được chế tạo bằng phương pháp bốc bay nhiệt sử dụng tiền chất là bột ZnS Hình 1. Ảnh SEM của các cấu trúc ZnS-ZnO Sigma Aldrich 97 5 các đế lắng đọng Để xác nhận thành phần của các đai phổ vật liệu là Si SiO2 phủ 10 nm Au khí mang EDS được tiến hành đo trên thân của chúng. sử dụng là Ar một số điều kiện thí nghiệm gồm nhiệt độ nguồn 1100 o C thời gian bốc bay 20 phút lưu lượng khí Ar 100 cm3 phút tốc độ gia nhiệt 10 o C phút. Hình thái của mẫu thu được nhờ ảnh chụp từ kính hiển vi điện tử quét SEM thành phần và pha được xác định từ phổ tán sắc năng lượng tia X EDS và giản đồ nhiễu xạ tia X XRD . Tính chất quang được xác định từ phổ huỳnh quang PL và phổ kích thích huỳnh quang PLE . Hình 2. Phổ EDS của các đai 139 Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2018. ISBN .

• Vật lý
• Đi ốt phát xạ tử ngoại
• Cấu trúc dạng đai lai hóa ZnS ZnO
• Phương pháp bốc bay nhiệt
• Cường độ huỳnh quang
• Phổ huỳnh quang
• Bài giảng Quang phổ học
• Quang phổ học
• Quang phổ hồng ngoại
• Quang phổ phát xạ phân tử
• Phổ phát xạ phân tử
• Cấu hình máy quang phổ huỳnh quang
• Nghiên cứu phổ nhiệt
• Phổ nhiệt huỳnh quang
• Nhiệt huỳnh quang
• Huỳnh quang bằng phần mềm R
• Phần mềm R
• Tách khoáng silicat
• Quy trình tách khoáng
• Đo phổ nhiệt huỳnh quang
• Độ nhạy nhiệt huỳnh quang
• Tính chất vật liệu nano Tb(TTA)3
• Huỳnh quang y sinh
• Vật liệu nano phức chất huỳnh quang
• Phổ hấp thụ hồng ngoại FTIR
• Phổ phát xạ huỳnh quang
• Thông số động học
• Thực phẩm chiếu xạ
• Bột ớt chiếu xạ
• Kinetic parameters
• Irradiated food
• tiểu luận nghiên cứu đề tài
• phương pháp huỳnh quang
• ứng dụng tia X
• nguyên tố vi lượng
• vật liệu sinh học
• khí hạt nhân
• quang phổ kế
• huỳnh quang tia x
• Huỳnh quang tương quan
• Khuếch tán và cường độ huỳnh quang
• Hệ FCS cơ bản
• Mốt số dạng hàm tự tương quang
• Hiệu ứng của động học tam tuyến
• Phân tích trắc quang
• Phổ hấp thụ UV Vis
• Tế bào quang điện
• Phản ứng huỳnh quang
• Hóa huỳnh quang
• Phức dị đa bậc ba
• Tạp chí Khoa học và Công nghệ
• Tổng hợp bột huỳnh quang Y3Al5O1
• Phương pháp đồng kết tủa
• Bột huỳnh quang
• Phân tích phổ nhiễu xa tia X
• Hạt nano bạc
• Phân tử chất nhuộm
• Tính chất huỳnh quang
• Tinh thể AgCl
• Bức xạ huỳnh quang
• Qui trình đo phổ PL
• Cảm biến huỳnh quang
• Độ nhạy cao để phát hiện ion Al3+
• Phức chất Eu(III) β dixeton
• Phức chất đất hiếm
• Phản huỳnh quang
• Phổ hấp thụ phân tử chất nhuộm
• Kích thích phản huỳnh quang
• Vật liệu bán dẫn
• Quang điện tử
• Đai micro ZnS
• huỳnh quang
• Công nghệ Vi điện tử
• Công nghệ Vật liệu mới
• phổ học
• phân tích phổ
• vật liệu phát quang
• Công nghệ hóa học
• Hệ phổ kế huỳnh quang tia X
• Thành phần vật liệu
• Công nghệ vật liệu
• Nguyên tố vật liệu
• Chấm lượng tử
• Chấm lượng tử graphene
• Phổ tán xạ Raman
• Nano tinh thể
• Tính chất quang
• Nano tinh thể bán dẫn CdS pha tạp Cu
• Phổ nhiễu xạ tia X
• Phổ hấp thụ
• Quang huỳnh quang
• Cấu trúc phức chất của Dy
• Tính chất phức chất của Dy
• Ion đất hiếm
• Phổ hồng ngoại
• Tạp chí phân tích
• Tổng hợp phức chất rutheni(II) polypyridyl
• Đầu dò huỳnh quang
• Phân tử sinh học
• Phức hợp polypyridyl Ruthenium
• Phổ phân tử
• Quang xúc tác
• Vật liệu tổ hợp g C3N4 TiO2
• Phương pháp trộn cơ học
• Cấu trúc tinh thể
• Giản đồ nhiễu xạ tia X
• Phổ hấp thụ UV vis
• Điện cực kim cương
• Von ampe hòa tan
• Dung dịch HgII
• Quang phổ hấp thụ nguyên tử
• Quang phổ huỳnh quang nguyên tử
• Cách tử nhiễu xạ
• Máy quang phổ
• Điều kiện cộng hưởng
• Hạt nano huỳnh quang
• Kính hiển vi lực nguyên tử