TAILIEUCHUNG - Raman spectroscopy of GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si structures

In this work, the Raman and IR active vibrational modes of GaN structure were calculated using correlation method. All the experimental Raman peaks were assigned in the Raman spectra of GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si structures, which were prepared using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. The effect of AlxGa1-xN buffer layer with various of x values (; ; ; ; ; 1) on the structure properties of GaN was studied by mean of Raman spectroscopy. The stabilization of the position and the change of full width at half maximum (FWHM) of E2 mode in the Raman spectra of GaN/AlxGa1-xN/AlN/Si structures confirmed the high crystalline quality of the GaN layer. | Raman spectroscopy of GaN AlxGa1-xN AlN Si structures

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.