TAILIEUCHUNG - Power dependence of polycrystalline silicon thin film crystallinities with multiline beam continuous-wave laser lateral crystallization

Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors (poly-Si TFTs) have been played as important driving elements for Flat panel display (FPD). In this work, we studied crystallinities of laser-crystallized poly-Si thin films using Multi-Line Beam (MLB) –CLC and investigated the dependence of poly-Si thin films on the conditions of laser power along with scanning speed. Surface orientation of poly-Si thin films were observed by X-Ray Diffraction (XRD) and Electron Back Scattering Diffraction (EBSD) measurement. In addition, the stress values of polySi thin films varied with laser powers were calculated from Raman spectra. We found that highly (100)-surface oriented poly-Si thin films were obtained as changing the laser power along with changing scanning speeds from 5 W to 7 W. The poly-Si thin films formed at low laser power values had better (100)-surface orientation. | Power dependence of polycrystalline silicon thin film crystallinities with multiline beam continuous-wave laser lateral crystallization

TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.