TAILIEUCHUNG - Investigation of charge traps at al-doped HfO2/(100)InGaAs interface by using capacitance and conductance methods

In this study, capacitance and conductance methods were used to investigate the charge traps at a HfO2/(100)InGaAs interface with an atomic layer deposition HfO2 layer doped with Al2O3 by co-deposition technique. The effect of Al doping on the quality of the HfO2/ interface will be evaluated. The density of interface traps (Dit) near midgap is close to 2×1012 cm−2eV−1. | Investigation of charge traps at al-doped HfO2/(100)InGaAs interface by using capacitance and conductance methods

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.