TAILIEUCHUNG - Ebook Dụng cụ bán dẫn và vi mạch: Phần 2 - Lê Xuân Thê

Ebook Dụng cụ bán dẫn và vi mạch: Phần 2 trình bày về Transistor và các dụng cụ bán dẫn khác, mạch khuếch đại vi sai, khuếch đại thuật toán. Tham khảo nội dung phần 2 tài liệu để hiểu rõ hơn về các nội dung trên. | Chương 3 TRANSISTOR VÀ CÁC DỤNG cụ BÁN DẪN KHÁC . Transistor lưỡng cực . Nguyên tắc hoạt động và các tham sò cơ bản Transistor là dụng cự bán dẫn được chế tạo từ Ge hoặc Si. Người ta pha các tạp chất khác nhau để tạo các bán dẫn loại p hoặc loại N. Các bán dẫn này được sắp xếp theo ba miền p - n - p hoặc n - p - n. Từ 3 miển này người ta lấy ra 3 cực khác nhau emitơ E bazơ B colectơ C . Tuỳ theo trật tự sắp xếp mà ta có loại Transistor p - n p hay n - p - n. Hình mô tả cấu trúc ký hiệu và cách mắc nguồn điện cung cấp cho Transistor để nó có thể làm việc được. Do có 3 miền bán dẫn khác nhau mà trong Transistor có 2 lớp tiếp giáp p - n lớp tiếp giáp BE và BC. Để Transistor làm việc được ở chế độ khuếch đại tín hiộu thì giữa BE người ta đặt một điện áp một chiểu đấu theo chiều phân cực thuận giữa bazơ - colectơ đặt điện áp phân cực ngược. Trên kí hiệu của Transistor chiều mũi tên là chiều phân cực thuận. Transistor có cấu tạo p - n - p được gọi là bóng thuận và n - p - n gọi là bóng ngược. Ta hãy xét 1 transistor p - n - p trên hình pnp npn Hình Cấu trúc và cách mắc nguồn của transistor thuận transistor ngược. a Khi điện áp UBE 0 ƯCE 0 không có dòng qua các cực Transistor. b Khi đặt điện áp phân cực thuận vào UBE lỗ trống ở E dễ dàng khuếch tán sang bazơ. Miền bazơ mỏng nồng độ các phần tử tải điện ở E lớn hơn nhiều nồng độ các phần tử tải điệh cơ bản ở B nên hầu hết các lỗ trống từ p vượt qua tiếp giáp EB sang bazơ sẽ đi tiếp sang miền p thứ hai tạo nên dòng colectơ. Một phần lỗ trống tái hợp với điên tử ở bazơ tạo nên dòng bazơ. Như vậy 60 Ie - Trong đó Dòng Ic phụ thuộc vào điện áp URE và UfT Ic f UBR UCR Người ta đưa vào các thông số Hệ số p được gọi là hệ số Khuếch đại ch ng nó nói ỉên dòng Ic lớn hơn so với dòng IB bao nhiêu lần vài chục đến vài trăm . hệ sô truyền đạt dòng điện. Ic-PIB 3-1 lE IB pIE l P lB 3-2 Trkx 3-3 Ie l p Khi dùng transistor cần quan tâm đến các thông số UCE max Ic max UBE max. Các giá trị điện áp UBE UCE Ic không .

• Điện - Điện tử
• Dụng cụ bán dẫn
• Vi mạch Phần 2
• Mạch khuếch đại vi sai
• Khuếch đại thuật toán
• Chất bán dẫn
• Điốt bán dẫn
• Bài tập ôn tập dụng cụ bán dẫn
• Bài tập dụng cụ bán dẫn
• Ôn tập dụng cụ bán dẫn
• Đề thi dụng cụ bán dẫn
• Câu hỏi dụng cụ bán dẫn
• Bài giảng Dụng cụ bán dẫn
• Mười tám dụng cụ bán dẫn
• Công nghệ bán dẫn
• Chế tạo dụng cụ
• Dụng cụ điện tử
• Diode bán dẫn
• Ứng dụng của diode bán dẫn
• Diode chỉnh lưu
• Integrated circuits
• Chuyển tiếp PN
• Vật liệu bán dẫn
• Công nghệ planar
• Khuếch tán và cấy ion
• Chuyển tiếp dị thể
• Mô hình của diode bán dẫn
• Cân bằng nhiệt
• Hiện tượng vận chuyển hạt dẫn
• Vận chuyển hạt dẫn
• Nồng độ hạt dẫn
• Cấu trúc tinh thể
• Ứng dụng Diode bán dẫn
• Mạch chỉnh lưu
• Mạch hạn biên
• Mạch tương đương tín hiệu nhỏ
• Ứng dụng của MOSFET
• Miền hoạt động của N EMOS
• Sự khuếch tán hạt dẫn
• Thiết kế dụng cụ
• Tham số hiệu năng
• Hiệu ứng thứ cấp
• Đặc tuyến của BJT
• Mạch chỉnh lưu
• Mạch diode đơn giản
• Mạch zener
• Hoạt động chuyển mạch của BJT
• Đáp ứng tần số
• Chuyển mạch tín hiệu lớn
• Field Effect Transistor
• Transistor hiệu ứng trường
• Phân loại FET
• Hoạt động của MOSFET
• Đặc tính không lý tưởng
• Tụ điện MOS
• Tính hoạt động của MOSFET
• Đánh thủng chuyển tiếp
• Dải năng lượng
• Cấu trúc tinh thể cơ bản
• Nồng độ hạt dẫn nội tại
• Sự trôi hạt dẫn
• Quá trình sinh và tái hợp
• Phương trình liên tục
• Liên kết hóa trị
• Ứng dụng của BJT
• Nguồn dòng hằng
• Nguồn dòng dùng BJT
• Mạch ổn áp
• Bảo vệ quá tải
• Mạch tín hiệu nhỏ
• Cấu hình mắc N EMOS