TAILIEUCHUNG - BÀI TẬP ÔN TẬP KIỂM TRA GIỮA HỌC KỲ MÔN HỌC: DỤNG CỤ BÁN DẪN HỌC KỲ 1 – NĂM HỌC 2012-2013

1. Với vật liệu bán dẫn có 4 điện tử hóa trị thì chất donor được pha vào để tạo bán dẫn loại N có số điện tử hóa trị là: a) 3 b) 4 c) 5 d) 6 e) cả 4 ĐS trên đều sai 2. Trong giản đồ năng lượng của bán dẫn loại N thì mức năng lượng ED nằm trong dãi cấm và nằm: a) giửa dãi cấm b) gần EC c) gần EV d) ở (EC +EV)/4 e) cả 4 ĐS trên đều sai | ĐHBK TP HCM-KHOA ĐIỆN-ĐIỆN TỬ BỘ MÔN ĐIỆN TỬ GV HỒ TRUNG MỸ BÀI TẬP ÔN TẬP KIỂM TRA GIỮA HỌC KỲ MÔN HỌC DỤNG CỤ BÁN dẫn HỌC KỲ 1 - NẲM HọC 2012-2013 Các hằng số được sử dụng trong các câu hỏi k hằng số Boltzman x 10-5 eV oK q x 10-19 C điện tích điện tử Ss x x 10-14 F cm hằng số điện môi bán dẫn Si Vt kT q ở T 300oK n 1010 cm3 ở T 300oK bán dẫn Si Trích bảng phân loại tuần hoàn Nhom 3 B Al Ga In Nhóm 4 C Si Ge Sn Pb Nhóm 5 N P As Sb Chú ý ĐS là viết tắt của đáp số . Qui ước o Với diode nếu không cho trị số của 7 thì hiểu ngầm 7 1. o Không ghi nhiệt độ đang xét thì T 300oK. o Mô hình sụt áp hằng của diode Si có Von Vy 1. Với vật liệu bán dẫn có 4 điện tử hóa trị thì chất donor được pha vào để tạo bán dẫn loại N có số điện tử hóa trị là a 3 b 4 c 5 d 6 e cả 4 ĐS trên đều sai 2. Trong giản đồ năng lượng của bán dẫn loại N thì mức năng lượng ED nằm trong dãi cấm và nằm a giửa dãi cấm b gần EC c gần EV d ở EC EV 4 e cả 4 ĐS trên đều sai 3. Trong bán dẫn loại N chỉ có một loại tạp chất donor. Khi tăng nồng độ tạp chất donor thì thế Fermi ỌF sẽ a âm hơn b không đổi c dương hơn d bằng 0 e cả 4 ĐS trên đều sai 4. Công thức đặc trưng cho mọi chất bán dẫn ở trạng thái cân bằng nhiệt a n ni - pi b np ni2 c np ni pi d n - p ni pi e cả 4 ĐS trên đều sai 5. Một bán dẫn được pha tạp chất với nồng độ N n và tất cả các tạp chất đều bị ion hóa. Người ta thấy bán dẫn lúc này có các nồng độ p N và n n N. Như vậy tạp chất là a donor b acceptor c cách điện d dẫn điện e cả 4 ĐS trên đều sai 6. Một mẫu bán dẫn Si được pha tạp chất với nồng độ 2 x 1015 cm3 nguyên tử Ga và nồng độ 1016 cm3 nguyên tử As. Khi đó nồng độ điện tử n và nồng độ lỗp đơn vị là cm-3 a n 8x1015 và p 1 8 x105 b n 1 7 x1015 và p 7x105 c n 1016 và p 104 d n 104 vàp 1016 e cả 4 ĐS trên đều sai 7. Một mẫu bán dẫn Si được pha vào tạp chất B Boron với nồng độ x 1013 cm3 và tạp chất As với nồng độ 1013 cm3. Khi đó vật liệu là bán dẫn a loại P với p cm3 b loại P với p cm3 c .

• Điện - Điện tử
• Dụng cụ bán dẫn
• Vật liệu bán dẫn
• Kỹ thuật mạch điện tử
• Mạch điện ứng dụng
• Mạch điện tử
• Mạch khuếch đại
• Bài tập ôn tập dụng cụ bán dẫn
• Bài tập dụng cụ bán dẫn
• Ôn tập dụng cụ bán dẫn
• Đề thi dụng cụ bán dẫn
• Câu hỏi dụng cụ bán dẫn
• Bài giảng Dụng cụ bán dẫn
• Mười tám dụng cụ bán dẫn
• Công nghệ bán dẫn
• Chế tạo dụng cụ
• Dụng cụ điện tử
• Diode bán dẫn
• Ứng dụng của diode bán dẫn
• Diode chỉnh lưu
• Integrated circuits
• Chuyển tiếp PN
• Công nghệ planar
• Khuếch tán và cấy ion
• Chuyển tiếp dị thể
• Mô hình của diode bán dẫn
• Cân bằng nhiệt
• Hiện tượng vận chuyển hạt dẫn
• Vận chuyển hạt dẫn
• Nồng độ hạt dẫn
• Cấu trúc tinh thể
• Ứng dụng Diode bán dẫn
• Mạch chỉnh lưu
• Mạch hạn biên
• Mạch tương đương tín hiệu nhỏ
• Ứng dụng của MOSFET
• Miền hoạt động của N EMOS
• Sự khuếch tán hạt dẫn
• Thiết kế dụng cụ
• Tham số hiệu năng
• Hiệu ứng thứ cấp
• Đặc tuyến của BJT
• Mạch chỉnh lưu
• Mạch diode đơn giản
• Mạch zener
• Hoạt động chuyển mạch của BJT
• Đáp ứng tần số
• Chuyển mạch tín hiệu lớn
• Field Effect Transistor
• Transistor hiệu ứng trường
• Phân loại FET
• Hoạt động của MOSFET
• Đặc tính không lý tưởng
• Tụ điện MOS
• Tính hoạt động của MOSFET
• Đánh thủng chuyển tiếp
• Dải năng lượng
• Cấu trúc tinh thể cơ bản
• Nồng độ hạt dẫn nội tại
• Sự trôi hạt dẫn
• Quá trình sinh và tái hợp
• Phương trình liên tục
• Liên kết hóa trị
• Ứng dụng của BJT
• Nguồn dòng hằng
• Nguồn dòng dùng BJT
• Mạch ổn áp
• Bảo vệ quá tải
• Mạch tín hiệu nhỏ
• Cấu hình mắc N EMOS