TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Memory properties and charge effect study in Si nanocrystals by scanning capacitance microscopy and spectroscopy"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Memory properties and charge effect study in Si nanocrystals by scanning capacitance microscopy and spectroscopy | Lin et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 163 http content 6 1 163 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Memory properties and charge effect study in Si nanocrystals by scanning capacitance microscopy and spectroscopy Zhen Lin1 Georges Bremond1 Franck Bassani2 Abstract In this letter isolated Si nanocrystal has been formed by dewetting process with a thin silicon dioxide layer on top. Scanning capacitance microscopy and spectroscopy were used to study the memory properties and charge effect in the Si nanocrystal in ambient temperature. The retention time of trapped charges injected by different direct current DC bias were evaluated and compared. By ramp process strong hysteresis window was observed. The DC spectra curve shift direction and distance was observed differently for quantitative measurements. Holes or electrons can be separately injected into these Si-ncs and the capacitance changes caused by these trapped charges can be easily detected by scanning capacitance microscopy spectroscopy at the nanometer scale. This study is very useful for nanocrystal charge trap memory application. Recently the self-assembled silicon nanocrystals Si-ncs that are formed within ultrathin SiO2 layer are considered to be a promising replacement of this conventional floating gate 1 2 . These isolated Si-ncs embedded in between a tunnel and a top dielectric layer serve as the charge storage nodes and exhibit many physical properties even at room temperature such as Coulomb blockade 3 single-electron transfer 4 and quantization charges effect 5 which differ from bulk crystals. It can reduce the problem of charge loss encountered in conventional memories cause thinner injection oxides and hence smaller operating voltages better endurance and faster write erase speeds. So the characterisation and understanding of its charging mechanism in such nanostructure is of prime importance. Although the conventional I-V and .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học