TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: "Quantum interference effect in electron tunneling through a quantum-dot-ring spin valv"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Quantum interference effect in electron tunneling through a quantum-dot-ring spin valv | Ma et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 265 http content 6 1 265 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO IDEA Open Access Quantum interference effect in electron tunneling through a quantum-dot-ring spin valve Jing-Min Ma Jia Zhao Kai-Cheng Zhang Ya-Jing Peng and Feng Chi Abstract Spin-dependent transport through a quantum-dot QD ring coupled to ferromagnetic leads with noncollinear magnetizations is studied theoretically. Tunneling current current spin polarization and tunnel magnetoresistance TMR as functions of the bias voltage and the direct coupling strength between the two leads are analyzed by the nonequilibrium Green s function technique. It is shown that the magnitudes of these quantities are sensitive to the relative angle between the leads magnetic moments and the quantum interference effect originated from the inter-lead coupling. We pay particular attention on the Coulomb blockade regime and find the relative current magnitudes of different magnetization angles can be reversed by tuning the inter-lead coupling strength resulting in sign change of the TMR. For large enough inter-lead coupling strength the current spin polarizations for parallel and antiparallel magnetic configurations will approach to unit and zero respectively. PACS numbers Introduction Manipulation of electron spin degree of freedom is one of the most frequently studied subjects in modern solid state physics for both its fundamental physics and its attractive potential applications 1 2 . Spintronics devices based on the giant magnetoresistance effect in magnetic multi-layers such as magnetic field sensor and magnetic hard disk read heads have been used as commercial products and have greatly influenced current electronic industry. Due to the rapid development of nanotechnology recent much attention has been paid on the spin injection and tunnel magnetoresistance TMR effect in tunnel junctions made of semiconductor spacers sandwiched .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học