TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Long-term oxidization and phase transition of InN nanotextures"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Long-term oxidization and phase transition of InN nanotextures | Sarantopoulou et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 387 http content 6 1 387 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Long-term oxidization and phase transition of InN nanotextures 1 1 P s V 2 2 1 Evangelia Sarantopoulou Zoe Kollia Goran Drazic Spomenka Kobe and Nicolaos Spyropoulos Antonakakis Abstract The long-term 6 months oxidization of hcp-InN wurtzite InN-w nanostructures crystalline amorphous synthesized on Si 100 substrates is analyzed. The densely packed layers of InN-w nanostructures 5-40 nm are shown to be oxidized by atmospheric oxygen via the formation of an intermediate amorphous In-Ox-Ny indium oxynitride phase to a final bi-phase hcp-InN bcc-In2O3 nanotexture. High-resolution transmission electron microscopy energy-dispersive X-ray spectroscopy electron energy loss spectroscopy and selected area electron diffraction are used to identify amorphous In-Ox-Ny oxynitride phase. When the oxidized area exceeds the critical size of 5 nm the amorphous In-Ox-Ny phase eventually undergoes phase transition via a slow chemical reaction of atomic oxygen with the indium atoms forming a single bcc In2O3 phase. Introduction Recent investigations reveal that oxygen contamination plays the most prominent though not the only role for optimum semiconducting and optical properties of InN films 1-3 . Oxidization is a constraint of using InN in a variety of applications such as solar cells charge memories and light emitting diodes despite its excellent semiconducting properties. Furthermore the long-term functionality of InN films is directly related to the growing methodologies because the oxidization rate depends on the morphology and the quality of the InN surfaces 4 . However reactive sputtering of InN films in oxygen indicated no evidence of direct formation of In2O3. It was suggested therefore that oxygen accelerates the formation of an intermediate amorphous indium oxynitride phase inside the InN matrix

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.