TAILIEUCHUNG - MEMORY, MICROPROCESSOR, and ASIC phần 4

11 và 12. Phân tích tương tự của các mạch đồng bộ từ quan điểm thời gian có thể được tìm thấy trong Refs. 45 đến 49. Ngăn chặn việc đến trễ của tín hiệu dữ liệu trong một đường dẫn dữ liệu địa phương với Flip-flops hoạt động của các Rf Ri đường dẫn dữ liệu địa phương thể hiện trong hình. 1,14 đòi hỏi rằng bất kỳ tín hiệu dữ liệu đang được lưu trữ trong Rf đến các dữ liệu đầu vào. | Flash Memories 5-19 Solving Eqs. and with the assumption that only electrons at the Fermi level contribute to the current yields the Fowler-Nordheim formula for the tunneling current density Jtunnei at high electric field tunnel q-E2 DB3 --- exp J - I 16 7t2 3 h q E This equation can also be expressed as J tunnel a 2 exp Ị k EJ where a and B are Fowler-Nordheim constants. The value of a is in the range of to A V2 and B is in the range of to The barrier height and tunneling distance determine the tunneling efficiency. Generally the barrier height at the Si-SiO2 interface is about eV which is material dependent. This parameter is determined by the electron affinity and work function of the gate material. On the other hand the tunneling distance depends on the oxide thickness and the voltage drop across the oxide. As indicated in Eq. the tunneling current is exponentially proportional to the oxide field. Thus a small variation in the oxide thickness or voltage drop would lead to a significant tunneling current change. Figure Shows the Fowler-Nordheim plot which can manifest the Fowler-Nordheim constants a and B. The Si-SiO2 barrier height can be determined based on this FN plot by quantum-mechanical QM Comparisons of Electron Injection Operations As mentioned in the above section there are several operation schemes that can be employed for electron injection whereas only FN tunneling can be employed for ejecting electrons out of the floating gate. Owing to the specific features of the electron injection mechanism the utilization of an electron injection scheme thereby determines the device structure design process technology and circuit design. The main features of CHEI and FN tunneling for n-channel Flash memory cell and also CHEI and BBHE injection for p-channel Flash memory cell are compared in Tables and . List of Operation Modes The employment of .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.