TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Intense Red Catho- and Photoluminescence from 200 nm Thick Samarium Doped Amorphous AlN Thin Films"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: ntense Red Catho- and Photoluminescence from 200 nm Thick Samarium Doped Amorphous AlN Thin Films | Nanoscale Res Lett 2009 4 748-752 DOI S11671-009-9309-7 NANO EXPRESS Intense Red Catho- and Photoluminescence from 200 nm Thick Samarium Doped Amorphous AlN Thin Films Muhammad Maqbool Tariq Ali Received 21 January 2009 Accepted 2 April 2009 Published online 25 April 2009 to the authors 2009 Abstract Samarium Sm doped aluminum nitride AlN thin films are deposited on silicon 100 substrates at 77 K by rf magnetron sputtering method. Thick films of 200 nm are grown at 100-200 watts RF power and 5-8 m Torr nitrogen using a metal target of Al with Sm. X-ray diffraction results show that films are amorphous. Cathodoluminescence CL studies are performed and four peaks are observed in Sm at 564 600 648 and 707 nm as a result of 4G5 2 6H5 2 4G5 2 6H7 2 4G5 2 6H9 2 and 4G5 2 6H11 2 transitions. Photoluminescence PL provides dominant peaks at 600 and 707 nm while CL gives the intense peaks at 600 nm and 648 nm respectively. Films are thermally activated at 1 200 K for half an hour in a nitrogen atmosphere. Thermal activation enhances the intensity of luminescence. Keywords Cathodoluminescence Photoluminescence Thermal activation XRD Samarium AlN Introduction Rear-earth doped nitride semiconductors thin films are attracting increasing attention as phosphor materials and are used for optical displays 1-5 . Sputter deposited AlN has been shown to be a viable host for luminescent rare earth RE ions due to its transparency over a wide range M. Maqbool El Department of Physics and Astronomy Ball State University Muncie IN 47306 USA e-mail mmaqbool@ T. Ali Department of Physics State University of New York at Buffalo Buffalo NY 14260 USA including the UV IR and entire visible range 6-17 . Recent progress toward nitride-based light-emitting diode and electroluminescent devices ELDs has been made using crystalline and amorphous AlN doped with a variety of rare-earth elements 1-9 . The electronic structure of the RE ions differ from the other elements and are .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học