TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Effect of Interfacial Bonds on the Morphology of InAs QDs Grown on GaAs (311) B and (100) Substrates"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Effect of Interfacial Bonds on the Morphology of InAs QDs Grown on GaAs (311) B and (100) Substrates | Nanoscale Res Lett 2009 4 689-693 DOI s11671-009-9304-z NANO EXPRESS Effect of Interfacial Bonds on the Morphology of InAs QDs Grown on GaAs 311 B and 100 Substrates Lu Wang Meicheng Li Min Xiong Liancheng Zhao Received 12 December 2008 Accepted 24 March 2009 Published online 5 April 2009 to the authors 2009 Abstract The morphology and transition thickness tc for InAs quantum dots QDs grown on GaAs 311 B and 100 substrates were investigated. The morphology varies with the composition of buffer layer and substrate orientation. And tc decreased when the thin InGaAs was used as a buffer layer instead of the GaAs layer on 311 B substrates. For InAs In GaAs QDs grown on high miller index surfaces both the morphology and tc can be influenced by the interfacial bonds configuration. This indicates that buffer layer design with appropriate interfacial bonds provides an approach to adjust the morphologies of QDs grown on high miller surfaces. Keywords InAs Transition thickness High miller index Strain Interfacial bonds Introduction Self-assembled quantum dots QDs have been intensively studied over the past decades in both fundamental and application fields. To date several systems have exhibited great optical properties and find their applications such as laser diodes 1 and optical detectors 2 . The InAs GaAs should undoubtedly be the most widely studied one among these systems. In recent years room temperature emission of InAs QD laser around m for the fiber optical communication waveband 3 and optical absorption at 8-12 m for the long-wavelength infrared detecting 4 had been achieved by means of employing a so-called dots- L. Wang M. Li El M. Xiong L. Zhao Department of Materials Physics and Chemistry Harbin Institute of Technology Harbin People s Republic of China e-mail mcli@ in-a-well DWELL structure. In this structure the QDs are first grown on a thin InGaAs buffer layer and then finally with an InGaAs capping layer. So the nucleation and growth .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học