TAILIEUCHUNG - Giáo trình hình thành phân đoạn ứng dụng cấu tạo Mosfet với tín hiệu xoay chiều p3

Khi áp một hiệu điện thế một chiều theo một chiều nhất định thì khi đến điện thế VBO, DIAC dẫn điện và khi áp hiệu thế theo chiều ngược lại thì đến trị số -VBO, DIAC cũng Về cấu tạo, DIAC giống như một SCR không có cực cổng hay đúng hơn là một transistor không có cực nền. Hình sau đây mô tả cấu tạo, ký hiệu và mạch tương đương của DIAC. Anod 1 Anod 1 Anod 1 Anod 1 | Mạch tương đương của FET với tín hiệu nhỏ Người ta có thể coi FET như một tứ cực có dòng điện và điện thế ngõ vào là vgs và ig. Dòng điện và điện thế ngõ ra là vds và id id ig Ậ Ạ Ị vgs Vds Hình 39 Do dòng ig rất nhỏ nên FET có tổng trở ngõ vào là -vgs rn rất lớn ig Dòng thoát id là một hàm số theo vgs và vds. Với tín hiệu nhỏ dòng điện và điện thế chỉ biến thiên quanh điểm điều hành ta sẽ có lD diD dGS Vgs diD dVDS VDS Q Q Người ta đặt gm diD dvGS và Ta có iđ g V. m gs Q 1 . vds ro 1 Ạl. ro dvDS co the đặt go ro Q vgs Các phương trình này được diễn tả bằng giản đồ sau đây gọi là mạch tương đương xoay chiều của FET. G d D Ạ Ị vgs rn gmvgs Ạ r0 Vds S Hình 40 Riêng đối với E-MOSFET do tổng trở vào rn rất lớn nên trong mạch tương đương người ta có thể bỏ rn Trang 116 Biên soạn Trương Văn Tám id Vds S Hình 41 IX. ĐIỆN DẪN TRUYỀN TRANSCONDUCTANCE CỦA JFET VÀ DEMOSFET. Cũng tương tự như ở BJT một cách tổng quát người ta định nghĩa điện dẫn truyền của FET là tỉ số gm id t Vgs t Về mặt toán học từ phương trình truyền Id Idss - 2 VGS GS VGS off 1 - Trang 117 Biên soạn Trương Văn Tám 2 Ta suy ra gm dID dVGS IDSS V v GS VGS off 2I g ẤDSS 5m V vGS off V GS VGS off Trị số của gm khi VGS 0volt tức khi ID IDSS được gọi là gmo. Vậy 2I g _ ẤDSS gmo -T J VGS off Từ đó ta thấy gm gmo V GS VGS off 1 - 1 1 Trong đó gm là điện dẫn truyền của JFET hay DE-MOSFET với tín hiệu nhỏ gmo là gm khi Vgs 0V VGS Điện thế phân cực cổng - nguồn VGS ogý Điện thế phân cực cổng - nguồn làm JFET hay DE-MOSFET ngưng. Ngoài ra từ công thức ID IDSS V 12 1 - GS Ta suy ra VGS off _ Jd_ Vdss 1- V GS VGS off Vậy gm gmoA7D- V IDSS Phương trình trên cho ta thấy sự liên hệ giữa điện dẫn truyền gm với dòng điện thoát ID tại điểm điều hành Q. gmo được xác định từ các thông số IDSS và VGS off do nhà sản xuất cung cấp. X. ĐIỆN DẪN TRUYỀN CỦA E-MOSFET. Do công thức tính dòng điện thoát ID theo VGS của E-MOSFET khác với JFET và DE-MOSFET nên điện dẫn truyền của nó cũng khác. Từ công thức truyền của E-MOSFET Id k

• Kĩ thuật Viễn thông
• giáo trình vật lý
• tài liệu vật lý
• phương pháp quang học
• kỹ năng quang học
• thủ thuật quang học
• Vật lý đại cương
• Thực hành vật lý đại cương
• Giáo trình vật lý ngành dược
• Hướng dẫn thực hành vật lý
• Báo cáo thí nghiệm vật lý
• Tài liệu vật lý đại cương
• Giáo trình vật lý đại cương
• giáo án vật lý 11 chương trình nâng cao
• bài giảng Vật Lý 11
• thiết kế bài giảng Vật Lý 11
• tài liệu Vật Lý 11
• giáo trình Vật Lý 11
• đề cương Vật Lý 11
• tài liệu ôn thi vật lý
• các dạng bài tập vật lí
• trắc nghiệm lí thuyết vật lí
• giáo án vật lí cơ bản
• cơ ứng dụng
• công suất điện
• bài giảng vật lý
• đề cương vật lý
• bài tập vật lý
• Lý thuyết Vật lý
• Độc lực học chất điểm
• Sinh lý thực vật
• Giáo trình Sinh lý thực vật
• Sinh lý tế bào thực vật
• Tế bào thực vật
• Sự trao đổi nước của thực vật
• Quang hợp của thực vật
• Hô hấp của thực vật
• Chất đồng hóa
• Giáo trình nghề Bảo vệ thực vật
• Phân phối chương trình THCS
• Phân phối chương trình môn Vật lý
• Phân phối chương trình môn Vật lý 6
• Phân phối chương trình môn Vật lý 7
• Phân phối chương trình môn Vật lý 8
• Phân phối chương trình môn Vật lý 9
• giáo án vật lý 11 chương trình chuẩn