TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " In situ–Directed Growth of Organic Nanofibers and Nanoflakes: Electrical and Morphological Properties"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: In situ–Directed Growth of Organic Nanofibers and Nanoflakes: Electrical and Morphological Properties | Hansen et al. Nanoscale Res Lett 2011 6 11 http content 6 1 11 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access In situ-Directed Growth of Organic Nanofibers and Nanoflakes Electrical and Morphological Properties Roana Melina de Oliveira Hansen Morten Madsen Jakob Kjelstrup-Hansen Horst-Gunter Rubahn Abstract Organic nanostructures made from organic molecules such as para-hexaphenylene p-6P could form nanoscale components in future electronic and optoelectronic devices. However the integration of such fragile nanostructures with the necessary interface circuitry such as metal electrodes for electrical connection continues to be a significant hindrance toward their large-scale implementation. Here we demonstrate in situ-directed growth of such organic nanostructures between pre-fabricated contacts which are source-drain gold electrodes on a transistor platform bottom-gate on silicon dioxide patterned by a combination of optical lithography and electron beam lithography. The dimensions of the gold electrodes strongly influence the morphology of the resulting structures leading to notably different electrical properties. The ability to control such nanofiber or nanoflake growth opens the possibility for large-scale optoelectronic device fabrication. Introduction Optoelectronic devices are abundant in our electronics technology including for example LEDs lasers and photodetectors. For miniaturized on-chip applications such as optical detection in lab-on-a-chip systems integration of optoelectronic functionality 1 with siliconbased technology is of high interest due to the advanced technologies available for silicon processing. Optoelectronic functionality however is often difficult to achieve using only silicon technology due to silicon s indirect band gap. One possible solution is to integrate unconventional materials into platforms fabricated by means of conventional silicon technology such as materials being .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.