TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Improvement of performance of InAs quantum dot solar cell by inserting thin AlAs layers"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Improvement of performance of InAs quantum dot solar cell by inserting thin AlAs layers | Hu et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 83 http content 6 1 83 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Improvement of performance of InAs quantum dot solar cell by inserting thin AlAs layers Dongzhi Hu1 Claiborne CO McPheeters2 Edward T Yu2 Daniel M Schaadt1 Abstract A new measure to enhance the performance of InAs quantum dot solar cell is proposed and measured. One monolayer AlAs is deposited on top of InAs quantum dots QDs in multistack solar cells. The devices were fabricated by molecular beam epitaxy. In situ annealing was intended to tune the QD density. A set of four samples were compared InAs QDs without in situ annealing with and without AlAs cap layer and InAs QDs in situ annealed with and without AlAs cap layer. Atomic force microscopy measurements show that when in situ annealing of QDs without AlAs capping layers is investigated holes and dashes are present on the device surface while capping with one monolayer AlAs improves the device surface. On unannealed samples capping the QDs with one monolayer of AlAs improves the spectral response the open-circuit voltage and the fill factor. On annealed samples capping has little effect on the spectral response but reduces the short-circuit current while increasing the open-circuit voltage the fill factor and power conversion efficiency. Introduction Group III-V compound semiconductor solar cells are the highest efficiency cells developed to date 1 due to the wide range of bandgaps that can be grown with high crystalline quality in this material system. Record efficiencies around 40 2 are achieved in triple junction cells with an InGaP InGaAs Ge structure in which lattice-matched InGaAs replaces a middle GaAs layer. Due to the three-dimensional confinement of quantum dots QDs their incorporation into the middle layer enhances the photo current of solar cells which can be further improved by forward scattering techniques 3 . The electronic .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
8    175    0    27-04-2024
14    172    0    27-04-2024
10    156    0    27-04-2024
23    155    0    27-04-2024
37    141    0    27-04-2024
22    119    0    27-04-2024
33    124    0    27-04-2024
41    118    0    27-04-2024
7    127    0    27-04-2024
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.