TAILIEUCHUNG - Giáo trình môn học công nghệ vi điện tử 9

Việc xử lý bề mặt sẽ giúp chúng ta loại bỏ những tạp vô cơ, hữu cơ hoặc sai hỏng trên bề mặt tấm silicon trước khi chuyển nó vào những bước công nghệ tiếp theo. | For the NMOS process the starting point is a polished p-type silicon disc. The thickness of the disc is typically around 500 ịx. A layer of SiO2 in the neighborhood of 1000 Ả thick is first added to the entire wafer using the oxidation process. On top of this a layer of SÌ3N4 about 1500 Â thick is applied by the CVD process. Following the application of a layer of photoresist Mask 1 is used to pattern the surface. Mask 1 which is often called the moat or n diffusion mask defines in photoresist the drain source and channel regions of all transistors as well as any other regions where n implants are desired. After exposure development removes the photoresist layer in areas that are not to be moat . the complement of the moat or the antimoaf A top Mask 1 pattern and cross-sectional view at this stage of what will be the two transistors appear in Fig. . The SÌ3N4 is then etched from the areas not protected by the photoresist. A high-energy implant of p-type impurities typically boron is then applied to the entire water The remaining photoresist protects the moat regions from this implant. This heavy implant is used to raise the threshold voltage in the antimoat region often called the field and to provide electrical isolation between adjacent devices. After this field implant and a drive in diffusion the remaining photoresist is stripped. A thick layer of S1O2 about 10 000 Ẳ is then thermally grown by the oxidation process over the wafer. This layer is formed in the field but no oxidation can take place in the region protected by the SÌ3N4 because SÌ3N4 does not oxidize. The thick field oxide layer is termed a local oxidation layer and is often called LOCOS. The oxidation consumes some of the substrate silicon. The second cross section in Fig. shows the state of the wafer following growth of the field oxide. This corresponds to Step 10 in the process scenario of Table 2A .1. Following removal of the SÌ3N4 the thin layer of S1O2 under the SỈ3N4 is stripped

• Điện - Điện tử
• Bài giảng vi điện tử
• vi mạch điện tử
• đề cương vi xử lí
• kỹ thuật mạch điện tử
• giáo trình thiết kế điện
• Bài giảng Toán 2 Chương 5 bài 23
• Chu vi tam giác
• Chu vi tứ giác
• Cách tìm chu vi tam giác
• Bài giảng điện tử Toán 2
• Bài giảng điện tử lớp 2
• Bài giảng điện tử
• Bài giảng Ví thanh toán điện tử
• Ví thanh toán điện tử
• Tài khoản điện tử
• Công cụ thanh toán điện tử
• Xây dựng ví thanh toán điện tử
• Ví điện tử
• Bài giảng Pháp luật thương mại điện tử
• Pháp luật thương mại điện tử
• Giải quyết tranh chấp trong thương mại điện tử
• Vi phạm pháp luật trong thương mại điện tử
• Phương thức giải quyết tranh chấp thương mại điện tử
• Phòng ngừa vi phạm pháp luật trong thương mại điện tử
• Bài giảng Toán 3 Chương 2 bài 35
• Chu vi hình chữ nhật
• Công thức tính chu vi hình chữ nhật
• Cách tính chu vi hình chữ nhật
• Bài giảng điện tử Toán 3
• Bài giảng điện tử lớp 3
• Bài giảng Toán 3 Chương 2 bài 36
• Chu vi hình vuông
• Công thức tính chu vi hình vuông
• Cách tính chu vi hình vuông
• Bài giảng Sinh học 6 bài 50
• Bài giảng điện tử Sinh học 6
• Bài giảng điện tử lớp 6
• Bài giảng lớp 6 Sinh học
• Hình dạng của vi khuẩn
• Kích thước của vi khuẩn
• Cấu tạo của vi khuẩn
• Bài giảng Vật lý 7 Bài 24
• Cường độ dòng điện
• Tác dụng dòng điện
• Đơn vị Am pe kế
• Đơn vị cường độ dòng điện
• Bài giảng điện tử Vật lý 7
• Bài giảng điện tử lớp 7
• Thương mại điện tử
• Tranh chấp thương mại điện tử
• Giải quyết tranh chấp thương mại điện tử
• Vi phạm pháp luật thương mại điện tử
• Bài giảng Vật lý 11 Bài 6
• Bài giảng điện tử Vật lý 11
• Bài giảng điện tử lớp 11
• Bài 6 Tụ điện
• Cấu tạo của tụ điện
• Đơn vị điện dung
• Ý nghĩa điện dung
• Bài giảng Thanh toán điện tử
• Thanh toán điện tử
• Hệ thống thanh toán ví điện tử
• Quy trình thanh toán ví điện tử
• Phân loại ví điện tử
• các vi mạch số
• Giáo trình vi xử lý
• kỹ thuật điện điện tử
• tài liệu điện tử viễn thông
• bài giảng vi xử lý
• điện tử số
• công nghệ điện tử
• tài liệu mạch điện tử
• Bài giảng Sinh học 6 bài 5
• Bài giảng môn Sinh học lớp 6
• Kính hiển vi và cách sử dụng
• Kính lúp và kính hiển vi
• Các bước sử dụng kính hiển vi
• Công nghệ vi điện tử
• Giáo trình Công nghệ vi điện tử
• Bài giảng Công nghệ vi điện tử
• Mạch tính hợp
• Đặc tính linh kiện MOS
• Công nghệ xử lý CMOS
• Bài giảng Sinh học 10 bài 26
• Bài giảng điện tử Sinh học 10
• Bài giảng điện tử lớp 10
• Bài giảng lớp 10 Sinh học
• Sinh sản của vi sinh vật
• Sinh trưởng của vi sinh vật
• Sinh sản ở vi sinh vật nhân sơ
• Bài giảng Tiếng việt 4 Tuần 13
• Tập đọc Người tìm đường lên các vì sao
• Người tìm đường lên các vì sao
• Tập viết Người tìm đường lên các vì sao
• Bài giảng điện tử Tiếng việt 4
• Bài giảng điện tử lớp 4
• Bài giảng Toán 3 Chương 3 bài 4
• So sánh số trong phạm vi 10000
• Đọc các số trong phạm vi 10000
• So sánh các số tự nhiên
• Bài giảng Toán 3 Chương 4 bài 3
• So sánh số trong phạm vi 100000
• Đọc các số trong phạm vi 100000
• Bài giảng Toán 1 chương 2 bài 17
• Bài giảng điện tử Toán 1
• Bài giảng Toán lớp 1
• Bài giảng điện tử lớp 1
• Bảng cộng và bảng trừ trong phạm vi 10
• Bảng cộng trong phạm vi 10
• Bảng trừ trong phạm vi 10
• giáo trình mạch điện tử
• vi điều khiển
• hệ thống vi xử
• lập trình hợp ngữ
• Bài giảng Linh kiện điện tử
• Linh kiện điện tử
• Vi mạch tích hợp
• Phân loại vi mạch tích hợp
• Phương pháp chế tạo vi mạch tích hợp
• Chế tạo vi mạch tích hợp bán dẫn
• Vi mạch tuyến tính
• hệ thống điện
• mạch điện ứng dụng
• điện tử công suất
• Trường điện từ
• tài liệu môn điện
• giáo trình điện tử