TAILIEUCHUNG - Điện Tử Học - Vi Mạch Điện Tử Ứng Dụng part 16

Góc độ khác biệt có tương quan đến giá trị R và C . Khi có thay đổi giá trị của R và C . Góc độ khác biệt sẻ thay đổi . Vì vậy, Tần số thời gian và Thời gian củng thay đổi | c Vds Vo V Vo const iD Ipo const d vDS BVdss Điện áp đánh thủng. Đổ thị Giá sử VDS const v s tháy đoi VGS 0 Táng vủng khủyệt i Rchánnệi táng Ìd giám ii Vpo giám vGS 0 Giám vủng khủyệt i RChánnệl giám iD táng ii Vpo táng Chửơng 6 4 Voltage-Sensitive Device Đồ thi Lưu y n-JFET Phân cực sao cho không có dòng Channei-Gate vGS 0 hoặc vGS nho 0 Đặc tuyên Điện ap Vds tai điểm nghen VDS-Pinch Off Vp Vpo Vgs Điện ap đanh thủng BVDSX - BVDSS vGS Đặc tuyến VA trong vùng bao hoa Giựặ điện âp nghen vâ đânh thủng Vp vDS BVDSX iD 1 po 3vGS V r po 2k A3 2 v Vpo J với vGS 0 1 Nhạn xet Vgs 0 Ìd Ipo Chướng 6 5 VGS - Vpo D 0 Trong vùng bão hoa iD khong phụ thuộc vDS Anh hưởng nhiệt đọ D I po cT A3 2 T0 V T J . 3vGS s 1 rGL 2 V Po V A3 2 VPO J trong đo I po iD khi vGS 0 tai nhiệt đo To. Ly thuyet hoạt động cua MOSFET Câu tạo n-channel MOSFET Nhãn xệt Ban đãù chưa co kệnh dãn giưa D vã S enhancement mode Cực cong Gate Mệtal - Oxide - Semiconductor MOS Chưởng 6

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.