TAILIEUCHUNG - Nghiên cứu tổng hợp tinh thể nano silicon bằng phương pháp nhiệt khử magie

Vật liệu nano bán dẫn là một trong những vật liệu được ứng dụng rộng rãi trong công nghiệp điện như đèn LED, pin mặt trời, pin điện. Bài viết nghiên cứu tổng hợp vật liệu tinh thể nano silicon bằng phương pháp nhiệt khử magie. | Tuyển tập Hội nghị Khoa học thường niên năm 2017. ISBN 978-604-82-2274-1 NGHIÊN CỨU TỔNG HỢP TINH THỂ NANO SILICON BẰNG PHƯƠNG PHÁP NHIỆT KHỬ MAGIE Lê Thu Hường1 Jeong-Huyn Dam2 1 Trường Đại học Thủy lợi email 2 Trường Đại học Quốc gia Chonnam email hdjeong2020@ 1. GIỚI THIỆU CHUNG nhiệt khử magie tại 670 C trong vòng 15 giờ dưới điều kiện khí argon trong lò nung. Sau Vật liệu nano bán dẫn là một trong những 15 giờ phản ứng trong lò nung sản phẩm thu vật liệu được ứng dụng rộng rãi trong công được được cho vào dung dịch HCl 20 và nghiệp điện như đèn LED pin mặt trời pin khuấy trong vòng 5 giờ để loại hoàn toàn điện 1-4 . Silic là một trong những nguyên MgO và Mg còn dư. Sản phẩm được thu tố phổ biến không độc hại và thân thiện với bằng phương pháp ly tâm và được rửa lại môi trường. Mặt khác chấm lượng tử silicon nhiều lần bằng nước cất. Tinh thể nano Si QD cũng có những tính chất quang đặc silicon thu được ở dạng bột màu nâu. biệt như hiệu ứng giam giữ lượng tử 5 . Vật Cấu trúc tinh thể nano silicon được xác định liệu tinh thể nano silicon Si NC đã và đang bằng phương pháp nhiễu xạ tia X hình 2 . Kết trở thành đối tượng nghiên cứu sôi động do những ứng dụng của chúng. Trong báo cáo quả nhiễu xạ tia X của bột tinh thể nano silicon này chúng tôi nghiên cứu tổng hợp vật liệu cho thấy các đỉnh nhiễu xạ đặc trưng của cấu tinh thể nano silicon bằng phương pháp nhiệt trúc lập phương kim cương tại góc 2θ theta là khử magie. 28 3 47 3 56 1 69 1 76 3 và 88 0 tương ứng với các mặt mạng 2. PHƯƠNG PHÁP VÀ KẾT QUẢ 6 . NGHIÊN CỨU Độ rộng bán cực đại của đỉnh nhiễu xạ β tại góc 28 3 kích thước của hạt tinh thể nano Quá trình tổng hợp tinh thể nano silicon silicon được tính theo công thức Sherrer bao gồm hai bước chính được trình bày trong hình 1 i Bước thứ nhất tổng hợp hạt D 6 cos nano silica SiO2 NP từ tetraethyl orthosilicate TEOS trong mi-xel đảo. ii Trong đó λ là bước sóng của tia X β là độ Bước thứ hai hạt nano silica được khử thành rộng

• Vật lý
• Tinh thể nano silicon
• Cấu trúc tinh thể nano silicon
• Phương pháp nhiệt khử magie
• Công nghiệp điện
• Phổ huỳnh quang
• Bài giảng Quang phổ học
• Quang phổ học
• Quang phổ hồng ngoại
• Quang phổ phát xạ phân tử
• Phổ phát xạ phân tử
• Cấu hình máy quang phổ huỳnh quang
• Nghiên cứu phổ nhiệt
• Phổ nhiệt huỳnh quang
• Nhiệt huỳnh quang
• Huỳnh quang bằng phần mềm R
• Phần mềm R
• Tách khoáng silicat
• Quy trình tách khoáng
• Đo phổ nhiệt huỳnh quang
• Độ nhạy nhiệt huỳnh quang
• Tính chất vật liệu nano Tb(TTA)3
• Huỳnh quang y sinh
• Vật liệu nano phức chất huỳnh quang
• Phổ hấp thụ hồng ngoại FTIR
• Phổ phát xạ huỳnh quang
• Thông số động học
• Thực phẩm chiếu xạ
• Bột ớt chiếu xạ
• Kinetic parameters
• Irradiated food
• tiểu luận nghiên cứu đề tài
• phương pháp huỳnh quang
• ứng dụng tia X
• nguyên tố vi lượng
• vật liệu sinh học
• khí hạt nhân
• quang phổ kế
• huỳnh quang tia x
• Huỳnh quang tương quan
• Khuếch tán và cường độ huỳnh quang
• Hệ FCS cơ bản
• Mốt số dạng hàm tự tương quang
• Hiệu ứng của động học tam tuyến
• Phân tích trắc quang
• Phổ hấp thụ UV Vis
• Tế bào quang điện
• Phản ứng huỳnh quang
• Hóa huỳnh quang
• Phức dị đa bậc ba
• Tạp chí Khoa học và Công nghệ
• Tổng hợp bột huỳnh quang Y3Al5O1
• Phương pháp đồng kết tủa
• Bột huỳnh quang
• Phân tích phổ nhiễu xa tia X
• Hạt nano bạc
• Phân tử chất nhuộm
• Tính chất huỳnh quang
• Tinh thể AgCl
• Bức xạ huỳnh quang
• Qui trình đo phổ PL
• Cảm biến huỳnh quang
• Độ nhạy cao để phát hiện ion Al3+
• Phức chất Eu(III) β dixeton
• Phức chất đất hiếm
• Phản huỳnh quang
• Phổ hấp thụ phân tử chất nhuộm
• Kích thích phản huỳnh quang
• Vật liệu bán dẫn
• Quang điện tử
• Đai micro ZnS
• Phương pháp bốc bay nhiệt
• huỳnh quang
• Công nghệ Vi điện tử
• Công nghệ Vật liệu mới
• phổ học
• phân tích phổ
• vật liệu phát quang
• Công nghệ hóa học
• Hệ phổ kế huỳnh quang tia X
• Thành phần vật liệu
• Công nghệ vật liệu
• Nguyên tố vật liệu
• Chấm lượng tử
• Chấm lượng tử graphene
• Phổ tán xạ Raman
• Đi ốt phát xạ tử ngoại
• Cấu trúc dạng đai lai hóa ZnS ZnO
• Cường độ huỳnh quang
• Nano tinh thể
• Tính chất quang
• Nano tinh thể bán dẫn CdS pha tạp Cu
• Phổ nhiễu xạ tia X
• Phổ hấp thụ
• Quang huỳnh quang
• Cấu trúc phức chất của Dy
• Tính chất phức chất của Dy
• Ion đất hiếm
• Phổ hồng ngoại
• Tạp chí phân tích
• Tổng hợp phức chất rutheni(II) polypyridyl
• Đầu dò huỳnh quang
• Phân tử sinh học
• Phức hợp polypyridyl Ruthenium
• Phổ phân tử
• Quang xúc tác
• Vật liệu tổ hợp g C3N4 TiO2
• Phương pháp trộn cơ học
• Cấu trúc tinh thể
• Giản đồ nhiễu xạ tia X
• Phổ hấp thụ UV vis
• Điện cực kim cương
• Von ampe hòa tan
• Dung dịch HgII
• Quang phổ hấp thụ nguyên tử
• Quang phổ huỳnh quang nguyên tử
• Cách tử nhiễu xạ
• Máy quang phổ
• Điều kiện cộng hưởng
• Hạt nano huỳnh quang
• Kính hiển vi lực nguyên tử