TAILIEUCHUNG - Khảo sát mật độ nguyên tử bề mặt của lớp oxi tự nhiên trên bề mặt mẫu GaAs sau khi cấy ion Xe+

Bài viết Khảo sát mật độ nguyên tử bề mặt của lớp oxi tự nhiên trên bề mặt mẫu GaAs sau khi cấy ion Xe+ trình bày xác định mật độ nguyên tử bề mặt (surface atomic density) của ô xi tự nhiên trên bề mặt mẫu GaAs. | Tuyển tập báo cáo Hội nghị Khoa học và Công nghệ hạt nhân toàn quốc lần thứ 14 Proceedings of Vietnam conference on nuclear science and technology VINANST-14 KHẢO SÁT MẬT ĐỘ NGUYÊN TỬ BỀ MẶT CỦA LỚP OXI TỰ NHIÊN TRÊN BỀ MẶT MẪU GaAs SAU KHI CẤY ION Xe INVESTIGATION OF THE SURFACE ATOMIC DENSITY OF NATIVE OXIDE LAYER ON THE SURFACE GAAS AFTER IMPLANTATION OF XE ION . TUAN 1 2 . PHUC2 3 4 KHIEM3 4 M. KULIK2 5 MY2 6 DUC1 . 1 Trung tâm chiếu xạ Hà Nội Viện năng lượng nguyên tử Việt Nam Hà Nội Việt Nam. 2 Viện liên hiệp nghiên cứu hạt nhân Dubna Liên bang Nga. 3 Viện Vật lý Viện hàn lâm và khoa học Việt Nam Hà Nội Việt Nam. 4 Học viện khoa học và công nghệ Viện hàn lâm và khoa học Việt Nam Hà Nội Việt Nam. 5 Viện Vật lý Đại học Maria Curie-Skłodowska Lublin Ba Lan. 6 Viện khoa học và kỹ thuật hạt nhân Viện năng lượng nguyên tử Việt Nam Hà Nội Việt Nam. Tác giả chính phanluongtuan@ Tóm tắt Bề mặt mẫu GaAs được cấy ion Xe có năng lượng 250 keV với các liều lượng khác nhau. Sự thay đổi của lớp oxi tự nhiên được hình thành trên bề mặt mẫu nguyên thủy và mẫu sau quá trình cấy được khảo sát. Mật độ nguyên tử bề mặt của của lớp oxi được xác định bằng phương pháp tán xạ ngược Rutherford với phản ứng hạt nhân RBS NR . Kết quả cho thấy sự tương quan tuyến tính giữa mật độ nguyên tử bề mặt của lớp ô xi và liều lượng cấy ion trong khoảng 2 x 1013 đến 8 x 1014 . Từ khóa GaAs RBS NR cấy ion. Abstract The surface of the GaAs sample was implanted with Xe ions with an energy of 250 keV with different dosages. The surface atomic density of the oxygen layer was determined by Rutherford backscattering spectroscopy with nuclear reaction RBS NR . The results show a linear correlation between the surface atomic density of the oxygen layer and the ion implantation dose in the range of 2 x 10 13 to 8 x 1014 . Keyword GaAs RBS NR ion implantation. MỞ ĐẦU Cấy ion ion implantation là một phương pháp phổ biến để đưa các tạp chất vào .

• Hoá học
• Mật độ nguyên tử bề mặt
• Bề mặt mẫu GaAs
• Phương pháp tán xạ ngược Rutherford
• Phản ứng hạt nhân
• Sản xuất transitor hiệu ứng trường