TAILIEUCHUNG - Cộng hưởng từ - phonon trong siêu mạng bán dẫn

Bài viết Cộng hưởng từ - phonon trong siêu mạng bán dẫn nghiên cứu hiệu ứng cộng hưởng từ - phonon trong siêu mạng bán dẫn thành phần, làm rõ các hiệu ứng dò tìm cộng hưởng từ - phonon bằng quang học. | CỘNG HƯỞNG TỪ - PHONON TRONG SIÊU MẠNG BÁN DẪN NGUYỄN THỊ HỒNG SEN - LÊ ĐÌNH Trường Đại học Sư phạm - Đại học Huế Tóm tắt Hiệu ứng cộng hưởng từ - phonon và sự dò tìm cộng hưởng từ - phonon bằng quang học trong siêu mạng bán dẫn được khảo sát bằng cách sử dụng phương pháp toán tử chiếu độc lập trạng thái. Sự phụ thuộc công suất hấp thụ vào năng lượng photon được tính số và vẽ đồ thị. Từ đồ thị của công suất hấp thụ như là hàm của năng lượng photon chúng tôi đã thu được độ rộng vạch phổ của đỉnh cộng hưởng bằng phương pháp Profile. Kết quả thu được cho thấy sự xuất hiện các đỉnh cộng hưởng thỏa mãn định luật bảo toàn năng lượng và độ rộng vạch phổ của đỉnh cộng hưởng thay đổi theo cường độ từ trường nhiệt độ và chu kỳ siêu mạng. Từ khóa cộng hưởng từ - phonon siêu mạng bán dẫn độc lập trạng thái độ rộng phổ công suất hấp thụ. 1. MỞ ĐẦU Sự ra đời của bán dẫn thấp chiều vào những năm 70 của thế kỉ XX đã thu hút sự quan tâm đặc biệt của các nhà khoa học nhiều hiệu ứng mới của hệ bán dẫn này đã được khám phá đặc biệt phải kể đến các hiệu ứng cộng hưởng như cộng hưởng từ - phonon MPR 1 2 cộng hưởng electron phonon EPR 3 cộng hưởng từ electron MER 4 . Nguồn gốc các hiệu ứng này là do tán xạ cộng hưởng điện tử gây ra bởi sự hấp thụ và phát xạ photon. Hiệu ứng MPR là sự tán xạ điện tử gây bởi sự hấp thụ và phát xạ các phonon khi khoảng cách giữa hai mức Landau liên tiếp bằng năng lượng của phonon. Hiệu ứng này phụ thuộc vào tần số photon tới cường độ từ trường nhiệt độ mà việc nghiên cứu nó giúp chúng ta xác định được các thông số của các chất bán dẫn. Trong bài báo này chúng tôi nghiên cứu hiệu ứng cộng hưởng từ - phonon trong siêu mạng bán dẫn thành phần làm rõ các hiệu ứng dò tìm cộng hưởng từ - phonon bằng quang học ODMPR . Sự phụ thuộc độ rộng phổ của đỉnh ODMPR vào cường độ từ trường nhiệt độ và chu kì siêu mạng được khảo sát bằng phương pháp Profile nhờ phần mềm Mathematica. 2. BIỂU THỨC CÔNG SUẤT HẤP THỤ CỦA SIÊU MẠNG BÁN DẪN THÀNH PHẦN Chúng tôi khảo sát mô hình .

• Hoá học
• Cộng hưởng từ phonon
• Siêu mạng bán dẫn
• Độc lập trạng thái
• Độ rộng phổ
• Công suất hấp thụ
• Luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ Vật lý
• Vật lý lý thuyết và Vật lý toán
• Cộng hưởng electron phonon
• Cộng hưởng từ phonon
• Giếng lượng tử
• Sự giam giữ phonon
• Dò tìm bằng quang học
• Độ rộng vạch phổ
• Tần số giam giữ
• Luận văn Thạc sĩ
• Vật lý lý thuyết
• Vật lý toán
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Giếng lượng tử thế vuông góc sâu
• Thế vuông góc sâu vô hạn
• Công suất hấp thụ sóng điện từ
• Thế tam giác
• Cộng hưởng từ
• Cộng hưởng phonon
• Độ rộng phổ
• Từ trường xiên
• Năng lượng photon
• Phương pháp chiếu toán tử độc lập
• Phương pháp toán tử chiếu độc lập
• Khảo sát cộng hưởng từ
• Phonon trong siêu mạng bán dẫn
• Dò tìm cộng hưởng từ
• Phonon bằng quang học
• Giếng lượng tử thế hyperbol
• Graphene đơn lớp
• Độ rộng phổ cộng hưởng từ
• Giếng lượng tử thế Poschl Teller