TAILIEUCHUNG - Nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt loại n SnO2 pha tạp Ta trên đế thạch anh bằng phương pháp phún xạ Magnetron DC

Bài viết này tập trung nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt SnO2 pha tạp Ta (TTO) đƣợc lắng đọng ở các nhiệt độ đế khác nhau. Màng TTO đƣợc lắng đọng trên đế thạch anh bằng phƣơng pháp phún xạ magnetron DC. Cấu trúc tinh thể và tính chất quang và điện của màng đƣợc khảo sát bằng giản đồ nhiễu xạ tia X, phổ truyền qua Uv-Vis và phép đo Hall. Mời các bạn cùng tham khảo! | Tạp chí Khoa học và Công nghệ Số 43B 2020 NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT LOẠI n SnO2 PHA TẠP Ta TRÊN ĐẾ THẠCH ANH BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON DC NGÔ NGỌC HƢNG1 ĐẶNG HỮU PHÚC1 NGUYỄN THỊ MỸ HẠNH2 LÊ TRẤN3 TRẦN BÍCH THỦY 1 Khoa Khoa học Cơ bản trường Đại học Công nghiệp TP. HCM 2 Khoa cơ khí trường Đại học Công nghiệp TP. HCM 3 Khoa vật lý-vật lý kỹ thuật trường Đại học Khoa học tự nhiên danghuuphuc@ Tóm tắt. Công trình này tập trung nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt SnO 2 pha tạp Ta TTO đƣợc lắng đọng ở các nhiệt độ đế khác nhau. Màng TTO đƣợc lắng đọng trên đế thạch anh bằng phƣơng pháp phún xạ magnetron DC. Cấu trúc tinh thể và tính chất quang và điện của màng đƣợc khảo sát bằng giản đồ nhiễu xạ tia X phổ truyền qua Uv-Vis và phép đo Hall. Kết quả cho thấy màng có cấu trúc tứ giác rutile của SnO2 đa tinh thể với mặt ƣu tiên SnO2 101 . Màng đạt giá trị điện trở suất thấp nhất ở điều kiện tối ƣu ở 300oC là 4 50 x 10 -3 cm với nồng độ hạt tải và độ linh động lần lƣợt là 5 51 x 10 20 cm-3 3 08 cm2V-1s-1 đồng thời độ truyền qua trung bình của màng trong vùng khả kiến trên 80 . Đặc trƣng I-V của tiếp xúc dị thể n-TTO p-Si đƣợc khảo sát ở điều kiện đƣợc chiếu sáng và không chiếu sáng. Từ khóa. màng loại n SnO2 Ta phún xạ magnetron DC X-ray Hall I-V. STUDYING FABRICATING AND INVESTIGATING THE INFLUENCE OF DOPANTS ON ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF SnO 2 In TIO AND SnO2 Zn ZTO PREPARED BY DC MAGNETRON SPUTTERING Abstract. This report focuses on studying and fabricating Ta-doped SnO2 TTO films following various depositing temperatures. TTO films were deposited on quartz glass substrates using a direct current DC magnetron sputtering method. Structure and opto-electrical properties were investigated by X-ray patterns Uv-Vis spectra and Hall measurement. These results show a tetragonal rutile structure of the SnO2 in which the preferred 101 was dominant. The best conductivity of TTO film was achieved at the optimum .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.