TAILIEUCHUNG - Point defects and grain boundary effects on tensile strength of 3C-SiC studied by molecular dynamics simulations

The tensile strength of irradiated 3C-SiC, SiC with artificial point defects, SiC with symmetric tilt grain boundaries (GBs), irradiated SiC with GBs are investigated using molecular dynamics simulations at 300 K. For an irradiated SiC sample, the tensile strength decreases with the increase of irradiation dose. The Young's modulus decreases with the increase of irradiation dose which agrees well with experiment and simulation data. | Point defects and grain boundary effects on tensile strength of 3C-SiC studied by molecular dynamics simulations

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.