TAILIEUCHUNG - Ebook Đầu dò bán dẫn và ứng dụng: Phần 2

Ebook Đầu dò bán dẫn và ứng dụng - Phần 2 gồm có những nội dung chính sau: Chuẩn hiệu suất và xác định tốc độ phát, các ứng dụng, số liệu nguyên tử và hạt nhân. Cuốn sách này là một tài liệu tham khảo rất tốt về ghi đo bức xạ với các đầu dò bán dẫn ở mức chuyên sâu đối với các sinh viên đại học, cao học và nghiên cứu sinh ngành vật lý nguyên tử và hạt nhân. Quyển sách cũng có thể xem là một tài liệu cẩm nang về ghi đo bức xạ khi sử dụng các đầu dò bán dẫn ở các phòng thí nghiệm. Mời các bạn tham khảo. | Chương 4. Chuẩn hiệu suất và xác định tốc độ phát Sự phân tích phổ trong chương 3 đã cung cấp thông tin về vị trí, diện tích của các đỉnh và chuẩn năng lượng cho phép tính được năng lượng phôtôn và nhận diện được các nhân phóng xạ trong mẫu. Bước còn lại trong phân tích là xác định số phôtôn đã phát ra. Việc này cần sự tính toán hoặc đo hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần ε. Tốc độ phát bức xạ được tính theo công thức R= Ν C1C 2 C 3 . T () Trong đó N là số đếm của đỉnh năng lượng toàn phần, T là thời gian đo và C là hệ số hiệu chỉnh. Các thảo luận chung về các phương pháp chuẩn hiệu suất được đề cập trong phần và , trong phần này ta xem xét các khía cạnh đặc trưng của việc xác định hiệu suất trong các khoảng năng lượng dưới 60 keV, từ 60 keV tới 3 MeV và trên 3 MeV. Các thảo luận về xác định hiệu suất toàn phần trình bày trong phần và cách xác định hiệu suất theo hình học từ cách đo với với một nguồn điểm được trình bày trong phần . Hai phần và trình bày các hiệu chỉnh hiệu ứng trùng phùng tổng, trùng phùng ngẫu nhiên và các hiệu ứng suy giảm áp dụng trong đo hiệu suất và xác định tốc độ phát. Phần tóm tắt các khía cạnh khác nhau trong xác định tốc độ phát và thảo luận về thuật ngữ “hiệu suất” trong một số ứng dụng. Các phương pháp chuẩn hiệu suất và giá trị của các đại lượng vật lý đo được Trong phép đo phổ phôtôn, đại lượng vật lý cần đo là tốc độ phát phôtôn ở một năng lượng xác định và đại lượng đo được là tốc độ đếm tổng hoặc tốc độ đếm đỉnh. Một cách tương ứng, ta sẽ phân biệt sự khác nhau giữa hiệu suất tổng εt được thảo luận trong phần và hiệu suất đỉnh. Trong một số trường hợp, hiệu suất đỉnh thoát đơn hoặc đôi cũng giữ một vai trò quan trọng trong các phép đo năng lượng cao khi độ cao của đỉnh thoát vượt quá độ cao của đỉnh năng lượng toàn phần hoặc một đỉnh thoát phủ lên trên một đỉnh năng lượng toàn phần quan tâm (xem phần ). Hiệu suất đỉnh năng lượng toàn phần được xác định bằng công thức: ε(E) = .

• Vật lý
• Đầu dò bán dẫn
• Ứng dụng đầu dò bán dẫn
• Phân tích hạt nhân phóng xạ
• Phân tích nguyên tố phóng xạ
• Bức xạ điện từ
• Đầu dò phôtôn
• Kỹ thuật của đầu dò
• Đầu dò bức xạ
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Phổ kế năng lượng
• Khảo sát phổ kế năng lượng
• Đầu dò bán dẫn HPGe
• Thời gian dùng đầu dò bán dẫn HPGe
• Đầu dò bán dẫn siêu tinh khiết HPGe
• Khóa luận tốt nghiệp
• Thông số của hệ phổ gamma
• Phổ kế gamma
• Đầu dò bán dẫn Ge siêu tinh khiết
• Hệ số hiệu chính trùng phùng
• Đo hiệu suất ghi cho đầu dò bán dẫn
• Bộ nguồn chuẩn gamma
• Ghi đo bức xạ gamma
• Luận văn Thạc sĩ Vật lí
• Phổ kế trùng phùng gamma
• Hệ phổ kế gamma
• Hiệu ứng quang điện
• Hiệu ứng Compton
• Khả năng giảm phông
• Hệ thống phổ kế gamma trùng phùng
• Hệ thống phổ kế gamma
• Đầu dò bán dẫn siêu tinh khiết
• Phổ kế trùng phùng tổng
• Xác nhận hiệu lực mô hình mô phỏng
• Xác nhận hiệu lực
• Chương trình MCNP5 và GEANT4
• Đầu dò bán dẫn siêu tinh khiết GMX35P4 70
• Luận văn Thạc sĩ Khoa học vật chất
• Vật lí nguyên tử
• Khoa học vật chất
• Phương pháp Monte Carlo
• Chương trình mô phỏng MCNP5
• Khóa luận kỹ sư hạt nhân
• Hiệu suất ghi
• Tính toán hiệu suất ghi
• Đầu dò HPGe
• Phần mềm MCNP
• Luận văn Thạc sĩ
• Vật liệu và linh kiện bán dẫn nano
• Cố định ADN đầu dò ứng dụng
• Cảm biến ADN
• Vi khuẩn streptococcus suis
• Bệnh viêm màng não
• Kiện chất thải phóng xạ
• Kỹ thuật Tomography Gamma Scanning
• Hoạt độ đồng vị phát gamma
• Chế tạo hệ đo TGS