TAILIEUCHUNG - Nhiễu xạ điện tử

Nhiễu xạ điện tử .Nhiễu xạ điện tử là hiện tượng sóng điện tử nhiễu xạ trên các mạng tinh thể chất rắn, thường được dùng để nghiên cứu cấu trúc chất rắn bằng cách dùng một chùm điện tử có động năng cao chiếu qua mạng tinh thể chất rắn, từ đó phân tích các vân giao thoa để xác định cấu trúc vật rắn. Tinh thể chất rắn có tính chất tuần hoàn, vì thế nó đóng vai trò như các cách tử nhiễu xạ. . | Nhiêu xa điên tử Nhiễu xạ điện tử là hiện tượng sóng điện tử nhiễu xạ trên các mạng tinh thể chất rắn thường được dùng để nghiên cứu cấu trúc chất rắn bằng cách dùng một chùm điện tử có động năng cao chiếu qua mạng tinh thể chất rắn từ đó phân tích các vân giao thoa để xác định cấu trúc vật rắn. Tinh thể chất rắn có tính chất tuần hoàn vì thế nó đóng vai trò như các cách tử nhiễu xạ. Nếu như các mặt tinh thể có khoảng cách liên tiếp là d thì góc nhiễu xạ sẽ cho cực đại nhiễu xạ tuân theo công thức Bragg 2dsin0 nX với X là bước sóng 0 là góc nhiễu xạ n là số nguyên n 0 1 2. cũng là bậc giao thoa. Hiện tượng này được ứng dụng dựa trên lưỡng tính sóng hạt của vật chất. Khi một chùm điện tử có xung lượng p sẽ tương ứng với một sóng có bước sóng cho bởi công thức theo lý thuyết de Broglie p với h là hằng số Planck. Dựa vào quan hệ giữa động năng E của điện tử và thế gia tốc V ta có thể xác định bước sóng X quan hệ với thế tăng tốc theo công thức chưa tính đến hiệu ứng tương đối tính p với thế tăng tốc V cỡ 200 kV trở lên hiệu ứng tương đối tính trở thành đáng kể và bước sóng cho bởi công thức tổng quát A A p y 1 I -AV V về mặt bản chất nhiễu xạ điện tử cũng gần tương tự như nhiễu xạ tia X hay nhiễu xạ neutron. Có điều nhiễu xạ điện tử thường được dùng trong các kính hiển vi điện tử như kính hiển vi điện tử truyền qua TEM kính hiển vi điện tử quét SEM sử dụng nhiễu xạ điện tử tán xạ ngược - back scattering electron diffraction . Lịch sử Phổ nhiễu xạ điện tử lựa chọn vùng trên mẫu tinh thể nano FeSiBNbCu Nhiễu xạ điện tử bắt đầu từ năm 1926 với lý thuyết sóng của Louis de Broglie và ba năm sau đó hai thí nghiệm độc lập về nhiễu xạ điện tử .

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.