TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Size-dependent visible absorption and fast photoluminescence decay dynamics from freestanding strained silicon nanocrystals"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Size-dependent visible absorption and fast photoluminescence decay dynamics from freestanding strained silicon nanocrystals | Dhara and Giri Nanoscale Research Letters 2011 6 320 http content 6 1 320 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Size-dependent visible absorption and fast photoluminescence decay dynamics from freestanding strained silicon nanocrystals Soumen Dhara1 and PK Giri1 2 Abstract In this article we report on the visible absorption photoluminescence PL and fast PL decay dynamics from freestanding Si nanocrystals NCs that are anisotropically strained. Direct evidence of strain-induced dislocations is shown from high-resolution transmission electron microscopy images. Si NCs with sizes in the range of approximately 5-40 nm show size-dependent visible absorption in the range of 575-722 nm while NCs of average size 10 nm exhibit strong PL emission at 580-585 nm. The PL decay shows an exponential decay in the nanosecond time scale. The Raman scattering studies show non-monotonic shift of the TO phonon modes as a function of size because of competing effect of strain and phonon confinement. Our studies rule out the influence of defects in the PL emission and we propose that owing to the combined effect of strain and quantum confinement the strained Si NCs exhibit direct band gap-like behavior. Introduction The discovery of unusual quantum-induced electronic properties including photoluminescence PL from Si nanocrystals NCs has aroused huge scientific interest on Si nanostructures 1-3 . The origin of the PL in the Si NCs is still being debated because of difficulty in isolating the contributions of quantum confinement surface states and embedding matrix have on the band structure in these materials 4 5 . In general Si NCs are embedded in other materials with different elastic constants and lattice parameters. In such a case owing to the lattice mismatch the consequent elastic strain is known to impact their properties 6 . Lioudakis et al. 7 investigated the role of Si NCs size and distortion at the grain boundary on

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.