TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Influence of surface properties on the electrical conductivity of silicon nanomembranes"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Influence of surface properties on the electrical conductivity of silicon nanomembranes | Zhao et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 402 http content 6 1 402 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Influence of surface properties on the electrical conductivity of silicon nanomembranes Xiangfu Zhao1 2 Shelley A Scott1 Minghuang Huang1 Weina Peng1 Arnold M Kiefer1 Frank S Flack1 Donald E Savage1 and Max G Lagally1 Abstract Because of the large surface-to-volume ratio the conductivity of semiconductor nanostructures is very sensitive to surface chemical and structural conditions. Two surface modifications vacuum hydrogenation VH and hydrofluoric acid HF cleaning of silicon nanomembranes SiNMs that nominally have the same effect the hydrogen termination of the surface are compared. The sheet resistance of the SiNMs measured by the van der Pauw method shows that HF etching produces at least an order of magnitude larger drop in sheet resistance than that caused by VH treatment relative to the very high sheet resistance of samples terminated with native oxide. Reoxidation rates after these treatments also differ. X-ray photoelectron spectroscopy measurements are consistent with the electrical-conductivity results. We pinpoint the likely cause of the differences. PACS Introduction Semiconductor nanomembranes NMs ultrathin layers of single-crystal semiconductor can because of the high surface-to-volume ratio have electronic transport properties that are extremely sensitive to surface and interface conditions 1-3 . This surface sensitivity has a potential so far not fully realized for diverse applications among others biological and chemical sensors 4-6 chemically gated transistors or light-gated switches 7 . This sensitivity highlights the need for a greater understanding of the influence of chemical modifiers even quite mundane ones on the near-surface electronic properties and thus the charge transport properties of the semiconductor. We consider here a model system .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.