TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Thickness-dependent optimization of Er3+ light emission from silicon-rich silicon oxide thin films"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Thickness-dependent optimization of Er3+ light emission from silicon-rich silicon oxide thin films | Cueff et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 395 http content 6 1 395 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Thickness-dependent optimization of Er3 light emission from silicon-rich silicon oxide thin films 1 1 22 1 1 Sébastien Cueff Christophe Labbé Olivier Jambois Blas Garrido Xavier Portier and Richard Rizk Abstract This study investigates the influence of the film thickness on the silicon-excess-mediated sensitization of Erbium ions in Si-rich silica. The Er3 photoluminescence at pm normalized to the film thickness was found five times larger for films 1 pm-thick than that from 50-nm-thick films intended for electrically driven devices. The origin of this difference is shared by changes in the local density of optical states and depth-dependent interferences and by limited formation of Si-based sensitizers in thin films probably because of the prevailing high stress. More Si excess has significantly increased the emission from thin films up to ten times. This paves the way to the realization of highly efficient electrically excited devices. Background The realization of efficient Si-based optical emitters for photonics is one of the most challenging objectives for the semiconductor community 1 . Such a purpose is confronted to the indirect band gap of bulk silicon which makes difficult the light emission from Si and then presents a major obstacle to full photonic-electronic integration. However the indirect sensitization of emission from erbium ions via Si nanoclusters Si-nc in the technologically important spectral region is a promising approach that has received significant attention. Such a sensitizing effect of Si-ncs increases the effective excitation cross section of Er by 103-104 over a broad band in Si-rich silicon oxide SRSO systems 2 . This leads to the observation of enhanced Er photoluminescence PL and electroluminescence in the standard telecommunications wavelength band .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học