TAILIEUCHUNG - Bài giảng điện tử cơ bản - Chương 5

Học xong bài này học viên có khả năng: -Nắm vững cấu tạo, nguyên lý làm việc của transistor, các cách mắc cơ bản, và đặc trưng của từng sơ đồ. -Biết sử dụng các loại BJT trong các mạch điện tử chức năng: tính toán, thiết kế các sơ đồ khuếch đại, sơ đồ khóa | TRANSISTOR LƯỠNG CỰC (Bipolar Junction Transistor – BJT) Mục tiêu thực hiện: Học xong bài này học viên có khả năng: -Nắm vững cấu tạo, nguyên lý làm việc của transistor, các cách mắc cơ bản, và đặc trưng của từng sơ đồ. -Biết sử dụng các loại BJT trong các mạch điện tử chức năng: tính toán, thiết kế các sơ đồ khuếch đại, sơ đồ khóa 1. Cấu tạo: BJT gồm 3 lớp bán dẫn tạo bởi 2 tiếp giáp p-n trong đó lớp giữa rất mỏng (cỡ 10-4 cm) và khác loại dẫn với 2 lớp bên. - Lớp giữa là bán dẫn loại p ta có BJT loại n-p-n - Lớp giữa là bán dẫn loại n ta có BJT loại p-n-p Lớp có mật độ tạp chất cao nhất ( ký hiệu n+ hoặc p+) gọi là miền phát (emitter). Lớp có mật độ tạp chất thấp hơn ( ký hiệu n hoặc p) gọi là miền thu (collector). Lớp có mật độ tạp chất rất thấp gọi là miến gốc (base). 2. Nguyên lý làm việc và khả năng khuếch đại của BJT - Vùng thứ nhất giữa miền phát và miền gốc gọi là vùng tiếp giáp emitter JE. - Vùng thứ hai giữa miền gốc và miền thu gọi là vùng tiếp giáp collector JC. - Nguồn E1 (1 vài volt) làm tiếp giáp JE phân cực thuận. - Nguồn E2 (5 20V) làm tiếp giáp JC phân cực ngược. Ký hiệu của transistor Transistor loại npn Transistor loại pnp Khi chưa có nguồn phân cực: trong mỗi vùng nghèo JE, JC tồn tại 1 hiệu điện thế tiếp xúc. Hiệu điện thế này xác lập hàng rào điện thế duy trì trang thái cân bằng của vùng tiếp giáp. Nguyên lý làm việc của transistor Khi có E2, vùng JC pcn, qua vùng nghèo JC có 1 dòng rất nhỏ do các hạt dẫn thiểu số của vùng collector và base tạo nên, ký hiệu là ICBO. Ta gọi đó là dòng điện ngược collector. Khi có thêm nguồn E1, JE pct, điện tử miền n+ tràn qua vùng p và lỗ trống từ p tràn qua miền n+. Chỉ 1 bộ phận rất nhỏ điện tử phun từ n+ bị tái hợp còn đại bộ phận vẫn tiếp tục khuếch tán qua miền base tới vùng nghèo JC, các điện tử này bị điện trường của tiếp giáp JC tăng tốc chạy về collector để tạo nên phần chủ yếu của dòng điện trong mạch collector α. IE, trong đó: Số điện tử tới được cực C Tổng số điện tử xuất phát từ cực E Các

TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.