TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Binding Energy and Spin-Orbit Splitting of a Hydrogenic Donor Impurity in AlGaN/GaN Triangle-Shaped Potential Quantum Well"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Binding Energy and Spin-Orbit Splitting of a Hydrogenic Donor Impurity in AlGaN/GaN Triangle-Shaped Potential Quantum Well | Nanoscale Res Lett 2009 4 1315-1318 DOI s11671-009-9398-3 NANO EXPRESS Binding Energy and Spin-Orbit Splitting of a Hydrogenic Donor Impurity in AlGaN GaN Triangle-Shaped Potential Quantum Well Jun Wang Shu-Shen Li Yan-Wu Lii Xiang-Lin Liu Shao-Yan Yang Qin-Sheng Zhu Zhan-Guo Wang Received 30 March 2009 Accepted 11 July 2009 Published online 28 July 2009 to the authors 2009 Abstract In the framework of effective-mass envelope function theory including the effect of Rashba spin-orbit coupling the binding energy Eb and spin-orbit split energy r of the ground state of a hydrogenic donor impurity in AlGaN GaN triangle-shaped potential heterointerface are calculated. We find that with the electric field of the heterojunction increasing 1 the effective width of quantum well W decreases and 2 the binding energy increases monotonously and in the mean time 3 the spin-orbit split energy r decreases drastically. 4 The maximum of r is meV when the electric field of heterointerface is 1 MV cm. Keywords Binding energy Spin-orbit splitting Hydrogenic donor impurity AlGaN GaN J. Wang El . Liu . Yang . Zhu . Wang Key Laboratory of Semiconductor Materials Science Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences P. O. Box 912 100083 Beijing People s Republic of China e-mail junwang07@ X. -L. Liu e-mail xlliu@ . Zhu e-mail qszhu@ . Li State Key Laboratory for Superlattices and Microstructures Institute of Semiconductrors Chinese Academy of Sciences . Box 912 100083 Beijing People s Republic of China Y. -W. Lu Department of Physics Beijing Jiaotong University 100044 Beijing People s Republic of China Introduction GaN AlN and their related compounds as wide gap semiconductors attracted a lot of interest in the past few yeas mainly due to their good optical properties and great potential uses in optoelectronics. Spin-orbit coupling is the key issue of semiconductor spintronics 1-3 . Since there is a large .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
309    143    0    27-12-2024
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.