TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " The structural and optical properties of GaSb/InGaAs type-II quantum dots grown on InP (100) substrate"

Tham khảo tài liệu 'báo cáo hóa học: " the structural and optical properties of gasb/ingaas type-ii quantum dots grown on inp (100) substrate"', luận văn - báo cáo phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả | Shuhui et al. Nanoscale Research Letters 2012 7 87 http content 7 1 87 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal ORIGINAL PAPER Open Access The structural and optical properties of GaSb InGaAs type-II quantum dots grown on InP 100 substrate 2 2 s 2 2 2 Zhang Shuhui 1 Wang Lu Shi Zhenwu Cui Yanxiang Tian Haitao Gao Huaiju Jia Haiqiang Wang Wenxin2 Chen Hong2 and Zhao Liancheng1 Abstract We have investigated the structural and optical properties of type-II GaSb InGaAs quantum dots QDs grown on InP 100 substrate by molecular beam epitaxy. Rectangular-shaped GaSb QDs were well developed and no nanodash-like structures which could be easily found in the InAs InP QD system were formed. Low-temperature photoluminescence spectra show there are two peaks centered at and . The low-energy peak blueshifted with increasing excitation power is identified as the indirect transition from the InGaAs conduction band to the GaSb hole level type-II and the high-energy peak is identified as the direct transition type-I of GaSb QDs. This material system shows a promising application on quantum-dot infrared detectors and quantum-dot field-effect transistor. Introduction Quantum-size nanostructure materials have always been the research focus 1-5 . In recent years staggered lineup type-II quantum-size nanostructures are of great research interest due to their possible application in many novel devices 6 7 . Notably a large research effort has been focused on the type-II quantum-size nanostructures composed of III and V direct-bandgap semiconductor materials such as GaSb GaAs 8-10 InAlAs InP 11 InP InGaP 12 13 InP GaAs 14 GaAsSb GaAs 15 and InAs GaSb 16 17 . The reason is that they offer comparatively large bandgap energies and provide a possibility of covering the whole middle and far-infared optical range for photoelectric devices. Among these material systems GaSb GaAs quantum dot QD is an outstanding representative since its giant

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học