TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " Synthesis of long group IV semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: Synthesis of long group IV semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy | Xu et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 113 http content 6 1 113 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access Synthesis of long group IV semiconductor nanowires by molecular beam epitaxy -I- 1 1 1 2 1 1 Tao Xu Julien Sulerzycki Jean Philippe Nys Gilles Patriarche Bruno Grandidier Didier Stiévenard Abstract We report the growth of Si and Ge nanowires NWs on a Si 111 surface by molecular beam epitaxy. While Si NWs grow perpendicular to the surface two types of growth axes are found for the Ge NWs. Structural studies of both types of NWs performed with electron microscopies reveal a marked difference between the roughnesses of their respective sidewalls. As the investigation of their length dependence on their diameter indicates that the growth of the NWs predominantly proceeds through the diffusion of adatoms from the substrate up along the sidewalls difference in the sidewall roughness qualitatively explains the length variation measured between both types of NWs. The formation of atomically flat 111 sidewalls on the 110 -oriented Ge NWs accounts for a larger diffusion length. Introduction Semiconductor nanowires NWs consist of a solid rod with a diameter usually smaller than 100 nm and a length that can vary from the nanometer to the millimeter-scale depending on the technique used to synthesize the rods. Although for the majority of the NWs their growth is described by the vapor-liquid-solid mechanism based on the catalytic effect of a metal seed particle their length is mostly related to the way the chemical compounds are supplied. In chemical vapor deposition CVD a wide range of partial pressures for the reactive source gases can be used. As a result Si NWs with a millimeter-scale length have been successfully synthesized with a reasonable time 1 . Conversely when elemental compounds are supplied instead of gas precursors as it is the case for the growth of NWs in molecular beam epitaxy MBE ultra high

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.