TAILIEUCHUNG - Báo cáo hóa học: " GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization"

Tuyển tập báo cáo các nghiên cứu khoa học quốc tế ngành hóa học dành cho các bạn yêu hóa học tham khảo đề tài: GaN nanorods grown on Si (111) substrates and exciton localization | Park et al. Nanoscale Research Letters 2011 6 81 http content 6 1 81 o Nanoscale Research Letters a SpringerOpen Journal NANO EXPRESS Open Access GaN nanorods grown on Si 111 substrates and exciton localization 2 3 3 1 2 Young S Park 1 Mark J Holmes Y Shon Im Taek Yoon Hyunsik Im Robert A Taylor Abstract We have investigated exciton localization in binary GaN nanorods using micro- and time-resolved photoluminescence measurements. The temperature dependence of the photoluminescence has been measured and several phonon replicas have been observed at the lower energy side of the exciton bound to basal stacking faults I1 . By analyzing the Huang-Rhys parameters as a function of temperature deduced from the phonon replica intensities we have found that the excitons are strongly localized in the lower energy tails. The lifetimes of the I1 and I2 transitions were measured to be 100 ps due to enhanced surface recombination. PACS . p Introduction The wide band gap semiconductor GaN and its heterojunction systems with AlGaN has been intensively investigated during the past decade and has shown to be a very useful material for developing light emitting diodes laser diodes and high-power and high-temperature electronic devices 1 2 . It features a parabolic lowest conduction band with a band gap energy of approximately eV. The separation between the conduction band and the nearest satellite valley is approximately eV. Due to the properties of its constituents it is also characterized by high-energy optical phonons LO 92 meV . Carrier localization in III-nitride materials caused by compositional fluctuations in ternary alloys leads to tailing of the energy bands that is observed in both absorption and photoluminescence PL spectra. Furthermore it has been claimed that this localization gives rise to the high quantum efficiency commonly found in III-nitrides by preventing the carriers from reaching the .

• Báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học
• báo cáo hóa học
• công trình nghiên cứu về hóa học
• tài liệu về hóa học
• cách trình bày báo cáo
• trình bày báo cáo
• tài liệu báo cáo khoa học
• cách trình bày báo cáo khoa học
• báo cáo khoa học sinh học
• báo cáo khoa học toán học
• luận văn mẫu
• người lính việt nam
• sau chiến tranh
• tuyển tập báo cáo khoa học
• báo cáo ngành triết học
• báo cáo ngành lịch sử
• báo cáo ngành văn học
• nghiên cứu khoa học
• báo cáo về văn học
• báo cáo triết học
• báo cáo văn học
• chuyên đề văn học
• văn học nghệ thuật
• văn học Việt NAm
• báo cáo ngành toán học
• báo cáo ngành vật lý
• báo cáo ngành chăn nuôi
• văn học Trung Hoa
• báo cáo khoa học kinh tế
• Kỷ yếu tóm tắt báo cáo khoa học
• Báo cáo khoa học y học
• Báo cáo y học
• Hội nghị khoa học tim mạch
• Báo cáo khoa học y khoa
• Tăng huyết áp
• báo cáo sinh học
• bảo tồn nguồn gen
• báo cáo ngành kỹ thuật
• Báo cáo quản lý chất thải sinh hoạt
• Báo cáo khoa học môi trường
• Báo cáo khoa học công nghệ
• Nghiên cứu khoa học về môi trường
• Đề tài nghiên cứu khoa học
• Báo cáo nghiên cứu khoa học