TAILIEUCHUNG - Ảnh hưởng của độ dày lên tính chất màng mỏng InSb chế tạo bằng phương pháp lắng đọng laser xung trên đế Silic

Bài viết Ảnh hưởng của độ dày lên tính chất màng mỏng InSb chế tạo bằng phương pháp lắng đọng laser xung trên đế Silic trình bày kết quả chế tạo và khảo sát xác định hình thái cấu trúc cùng một số thuộc tính của màng mỏng Insb khi độ dày thay đổi. | Nghiên cứu khoa học công nghệ Phạm Văn Thìn1 Đỗ Thị Phương Dung2 Nguyễn Vũ Tùng1 Trần Quang Đạt1 Nguyễn Th nh Nam1 Nguyễn Văn Tuấn1 1 Khoa Hoá - Lý kỹ thuật Học viện Kỹ thuật quân sự 2 Trư ng Đại học Kh a học Đại học Th i Nguy n. Email tuannv@ Nhận bài 03 8 2022 Hoàn thiện 16 10 2022 Chấp nhận đăng 04 12 2022 Xuất bản 28 12 2022. DOI https TÓM TẮT ật iệ n b h h n đ ng ng ng i t ong nhiệ n àđ n n t nh t h ho đ n ng h . ài b o nà t nh bà t ả h t o à hảo t đ nh h nh th i ấ t ú ùng t ố th tính ủ àng ng n b hi đ à th đ i. C àng ng n b đ h t o b ng ph ng ph p ng đ ng ng nhiệt đ 00 C ó đ à th đ i t ong hoảng 150 n - 2000 nm. h p ph n tí h ấ t ú tinh th ho thấ àng ng t tinh tốt tất ả đ à . h p đo hi n i ng n t n t thấ tăng đ à àng ng n t i í h th h t tinh th tăng n 18 n - n à h t i b og nhi h t tinh th . đ à àng ng 500 n àng ó đ nh ăn n ph ng thấp n à đ nh nà tăng n 15 n hi đ à àng 500 n . nh hi n i điện t t ho thấ tất ả àng ó ấ t ú i n t p h t. t ả ấ tú tinh th h nh th i i đ i n hệ đ giải thí h bi n đ i tính hất ng ủ àng ng đ h t o th ng ph p đo ng ph h ng ngo i bi n đ i o i . Từ k A3B5 Màng mỏng InSb Phương h ng ọng as r ung PLD Quang hổ hồng ng ại biến ổi F uri r FTIR K nh hi n vi ực nguy n t F Năng ư ng vùng cấm 1. G Ớ TH ỆU Ng y nay uang tr ư c s ng rất r ng r i tr ng mọi nh vực c a i s ng t ân sự ch ến uân sự v như c m biến nh s ng c m biến bật t t n ư ng c m biến tr ng hệ gi m s t nhị tim ch t i c c c m biến uang học s ng tr n c c t n a tự n Quang tr ại iện tr c kh năng thay ổi tr kh ng khi c nh s ng chiếu v v ch ng c th nh hần ch nh t vật iệu b n n nhạy uang c ại vật iệu b n n hổ biến hiện nay c th k ến a s T aP In a P In aN aN v i năng ư ng vùng cấm Eg t V ến V hay c c vật iệu b n n kh c c năng ư ng vùng cấm h hơn như InSb PbS Tr ng m t s ng ng c thù tr ng uân sự vật iệu InSb ư c ịnh hư ng s ng r ng r i c ti m năng ng ng n tr ng c c c m biến hồng ng ại v c c thiết bị t c ca ựa v năng ư ng vùng cấm h V .

• Hoá học
• Màng mỏng InSb
• Phương pháp lắng đọng laser xung
• Quang hổ hồng ngoại biến đổi Fourier
• Kính hiển vi lực nguyên tử AFM
• Năng lượng vùng cấm
• Màng mỏng SiO2
• Cấu trúc màng mỏng SiO2
• Tính chất quang học màng mỏng SiO2
• Màng mỏng SiO2 được pha tạp InSb
• Quy trình chế tạo màng mỏng SiO2 InSb
• Phổ truyền qua
• Dung lượng 170 mAh/g
• Phân tích phổ Raman
• Năng lượng vùng cấm quang
• Vật liệu LiMnxFe1 xPO4
• Lộ trình thủy nhiệt
• Nano tinh thể
• Chấm lượng tử
• Nano tinh thể ba thành phần CdSexS1 x
• Dung môi phosphine
• báo cáo khoa học
• nghiên cứu khoa học
• hàm lượng nitrate
• kỹ thuật PCR
• vật liệu phong hóa
• Cố định đạm
• 2 methylimidazole
• Nitrat kẽm ngậm nước
• Vật liệu ZIF 8
• Phương pháp dung môi nhiệt