TAILIEUCHUNG - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ

Mục tiêu cảu đề tài "Nghiên cứu cấu trúc vùng năng lượng của vật liệu hai chiều SnSe2 đơn lớp bằng lí thuyết phiếm hàm mật độ" là nghiên cứu và tính toán cấu trúc vùng năng lượng điện tử của đơn lớp SnSe2 bằng lý thuyết phiếm hàm mật độ. Nghiên cứu ảnh hưởng của biến dạng và điện trường lên các tính chất điện tử đơn lớp SnSe2. |

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
TÀI LIỆU MỚI ĐĂNG
TAILIEUCHUNG - Chia sẻ tài liệu không giới hạn
Địa chỉ : 444 Hoang Hoa Tham, Hanoi, Viet Nam
Website : tailieuchung.com
Email : tailieuchung20@gmail.com
Tailieuchung.com là thư viện tài liệu trực tuyến, nơi chia sẽ trao đổi hàng triệu tài liệu như luận văn đồ án, sách, giáo trình, đề thi.
Chúng tôi không chịu trách nhiệm liên quan đến các vấn đề bản quyền nội dung tài liệu được thành viên tự nguyện đăng tải lên, nếu phát hiện thấy tài liệu xấu hoặc tài liệu có bản quyền xin hãy email cho chúng tôi.
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.