TAILIEUCHUNG - Phương pháp chiếu tổng hợp hệ thống chống nhiễu tiêu cực

Bài viết nghiên cứu ứng dụng phương pháp chiếu để chế áp nhiễu tiêu cực và chỉ ra các đặc tính vượt trội của việc ứng dụng ma trận chiếu vào thiết bị chỉ thị mục tiêu di động (MTI) để đáp ứng các yêu cầu cao về chế áp nhiễu. Kết quả mô phỏng cho thấy, hệ thống MTI theo phương pháp chiếu cũng có khả năng tách các mục tiêu tốc độ thấp trên nền nhiễu phản xạ. | Kỹ thuật điều khiển amp Điện tử Phương pháp chiếu tổng hợp hệ thống chống nhiễu tiêu cực Nguyễn Trung Thành Viện Ra đa Viện Khoa học và công nghệ quân sự. Email ntt7680@. Nhận bài ngày 22 9 2021 Hoàn thiện ngày 03 11 2021 Chấp nhận đăng ngày 12 12 2021. DOI https TÓM TẮT Bài báo nghiên cứu ứng dụng phương pháp chiếu để chế áp nhiễu tiêu cực và chỉ ra các đặc tính vượt trội của việc ứng dụng ma trận chiếu vào thiết bị chỉ thị mục tiêu di động MTI để đáp ứng các yêu cầu cao về chế áp nhiễu. Kết quả mô phỏng cho thấy hệ thống MTI theo phương pháp chiếu cũng có khả năng tách các mục tiêu tốc độ thấp trên nền nhiễu phản xạ. Về mặt tính toán trong số các phương pháp xử lý tối ưu hiện có phương pháp được đề xuất là hiệu quả nhất trong trường hợp nhiễu mạnh vì không phải tính nghịch đảo ma trận tương quan nhiễu. Từ khóa Ra đa Thiết bị lọc mục tiêu di động MTI Phương pháp chiếu Hệ số chế áp nhiễu Độ rộng dải chế áp. 1. MỞ ĐẦU Vấn đề chống nhiễu tiêu cực nguồn gốc tự nhiên và nhân tạo phát sinh đồng thời với sự xuất hiện của các ra đa đầu tiên và cho đến nay vẫn còn mang tính thời sự. Nhiễu tiêu cực là tín hiệu vô tuyến phản xạ từ bề mặt nền các tích tụ khí tượng và địa vật khi chúng bị chiếu xạ bởi các xung thăm dò ra đa. Tác động của nhiễu tiêu cực thể hiện ở sự chế áp và che giấu tín hiệu phản ánh từ mục tiêu quan sát. Cường độ nhiễu có thể vượt đáng kể không chỉ mức tạp của máy thu mà còn tín hiệu mục tiêu hữu ích gây khó khăn cho ra đa khi quan sát và đôi khi làm ra đa không thể quan sát. Theo ước tính hiện nay 1 5 trong các hệ thống như vậy tỷ số nhiễu tín hiệu có thể đạt giá trị từ 60 dB trở lên đặc biệt đối với phản xạ biển. Tùy thuộc vào các tham số bao gồm tần số mang chu kỳ lặp lại xung của ra đa phạm vi tốc độ gió . độ rộng phổ nhiễu thụ động có thể chiếm đến 10 tần số lặp xung thăm dò của ra đa. Để phân tách phổ của các tín hiệu hữu ích và nền nhiễu thụ động trong những điều kiện như vậy sử dụng bộ lọc

• Tự động hoá
• Thiết bị lọc mục tiêu di động
• Phương pháp chiếu
• Hệ số chế áp nhiễu
• Độ rộng dải chế áp
• Nhiễu phản xạ
• Lọc nhiễu phản xạ
• Bộ lọc F K
• Sóng phản xạ
• Phương pháp loại bỏ sóng phản xạ
• Bề mặt móng
• Loại bỏ song PXNL trước cộng
• Luận văn Thạc sĩ Khoa học
• Vectơ phân cực
• Nơtron tán xạ hạt nhân
• Phản xạ gương
• Tán xạ hạt nhân
• Nhiễu xạ bề mặt
• Phản ứng benzyl hóa benzene
• Hạt nano α Fe2O3
• Nhiễu xạ tia X
• Phổ tán xạ năng lượng tia X
• Vật liệu composite
• Hoạt tính xúc tác quang
• Phương pháp đốt cháy
• Tính chất quang xúc tác
• Phương pháp nhiễu xạ tia X
• Tán xạ năng lượng tia X
• Phổ phản xạ khuếch tán UV Vis
• Mô hình toán học của tín hiệu
• Mô hình toán học của nhiễu
• Đá móng nứt nẻ
• Nghiên cứu đá móng nứt nẻ
• Ranh giới phản xạ không đồng nhất
• Thuật toán Kirchhoff Helmholt
• Cơ sở vật lý chất rắn
• Bài giảng Cơ sở vật lý chất rắn
• Phân tích cấu trúc tinh thể
• Cầu phản xạ của Ewald
• Chụp tinh thể bằng tia X
• Công thức nhiễu xạ của Vulf
• Phương pháp chụp tinh thể
• Hydroxide kép Cu Al
• Alkyl hóa indole
• Kích hoạt vi sóng
• Phương pháp quang phổ phát xạ nguyên tử
• Hiển vi điện tử quét
• Phân tích nhiệt
• Tổ hợp Bi2Sn2O7 CoFe2O4
• Hoạt tính quang xúc tác
• Phân hủy Rhodamine B
• Phổ khuếch tán phản xạ UV Vis
• Phổ tán sắc năng lượng tia X
• Đồng pha tạp
• GaP và Sb
• Mật độ điện tử
• Phổ huỳnh quang
• Phép đo phổ nhiễu xạ điện tử phản xạ
• Phản ứng pha rắn
• Vật liệu ZnO pha tạp Ag
• Giản đồ nhiễu xạ tia X
• Phổ tán xạ Raman
• Linh kiện nano
• Khoa học vật liệu
• Luận văn Thạc sĩ
• Kính hiển vi phát xạ trường
• Kính hiển vi điện tử quét
• Graphite nhiệt phân
• Hydroxide kép Mg Fe
• Benzoil hóa Friedel–Crafts
• Phản ứng benzoylation Friedel Crafts
• Tổng hợp hydroxide
• Vật liệu MIL 100(Fe)
• Phản ứng phân hủy xanh methylene
• Phương pháp như nhiễu xạ tia X
• Hiển vi điện tử quét
• Phổ hồng ngoại
• Đẳng nhiệt hấp phụ và giải hấp nitơ
• Khoá luận tốt nghiệp
• Khoá luận tốt nghiệp Hoá vô cơ
• Vật liệu nano ZnO/zeolite 4A
• Phản ứng ester hoá nhựa thông
• Luận án Tiến sĩ
• Luận án Tiến sĩ Hóa học
• Vật liệu cơ kim HKUST 1
• Cơ chế phản ứng khử 4 NP
• Phương pháp nhiễu xạ Rơnghen
• Sắc ký khí khối phổ
• Luận văn Thạc sĩ Vật lý
• Vật liệu quang xúc tác TiO2/MoS2/Au
• Phản ứng tách nước
• Vật lý chất rắn
• Quang điện hóa
• Hệ vật liệu perovskit
• Phản ứng oxi hóa hoàn toàn m xylen
• Phương pháp sol gel citrat
• Phương pháp phân tích Rietveld
• khả năng tương thích điện từ
• thiết kế bảng mạch in
• tín hiệu kỹ thuật số
• nhiễu xuyên âm
• phân khúc khe hở
• phản xạ tín hiệu
• Đặc điểm cấu tạo phân tử
• Phản ứng đa tác nhân
• Azacrown ether
• NH perhydrotriazinoaza crown ether
• N methyl perhydrotriazinoaza
• Phổ hấp thụ
• Tính chất điện từ của BaTiO3
• Tính chất điện từ
• Phương pháp phản ứng pha rắn
• Bán dẫn loại p NiO n ZnO
• Brilliant Red B
• Ánh sáng mặt trời
• Phương pháp XRD
• Kẽm nitrate hexahidrate
• Vật liệu phát quang
• Phổ phát quang
• Phổ kích thích
• Ion đất hiếm
• Tính chất điện
• Hệ vật liệu LaFe1 xCoxTiO3
• Chất điện môi