TAILIEUCHUNG - Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu tính chất tán xạ Raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa

Luận văn tiến hành nghiên cứu chế tạo các mảng AgNPs trên đế Si phẳng bằng phương pháp lắng đọng điện hóa. Lắng đọng điện hóa là công nghệ khá đơn giản, phù hợp với điều kiện nghiên cứu của Việt Nam nói chung và của nhóm nghiên cứu của chúng tôi nói riêng nhưng vẫn tạo ra được các mảng hạt nano bạc, vàng có chất lượng tốt, đồng đều với khả năng kiểm soát khá tốt các thông số cấu trúc. | ĐẠI HỌC THÁI NGUYÊN TRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC HOÀNG THỊ THU HẢI NGHIÊN CỨU TÍNH CHẤT TÁN XẠ RAMAN TĂNG CƯỜNG BỀ MẶT CỦA CÁC MẢNG HẠT NANO BẠC TRÊN ĐẾ SILIC CHẾ TẠO BẰNG PHƯƠNG PHÁP LẮNG ĐỌNG ĐIỆN HÓA LUẬN VĂN THẠC SĨ KHOA HỌC VẬT LÝ THÁI NGUYÊN 2018 1 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan luận văn thạc sĩ Vật lý Quang học có tên đề tài Nghiên cứu tính chất tán xạ Raman tăng cường bề mặt của các mảng hạt nano bạc trên đế silic chế tạo bằng phương pháp lắng đọng điện hóa là công trình nghiên cứu của cá nhân tôi dưới sự hướng dẫn của TS. CAO TUẤN ANH. Các kết quả và số liệu thu được trong luận văn là hoàn toàn trung thực. Xác nhận của người hướng dẫn Thái Nguyên tháng 8 năm 2018 Hoàng Thị Thu Hải i LỜI CẢM ƠN Luận văn này được thực hiện và hoàn thành tại Viện khoa học Vật Liệu 18 Hoàng Quốc Việt Hà Nội. Luận văn hoàn thành dưới sự hướng dẫn của TS. Cao Tuấn Anh. Không có sự hướng dẫn của thầy thì luận văn này không thể hoàn thành được. Thầy là người nhiệt tình tận tụy với nghiên cứu khoa học. Đối với tôi thầy luôn hướng dẫn và quan tâm chỉ bảo. Mặc dù thời gian làm việc với thầy không nhiều nhưng tôi học được thầy rất nhiều mà sau này chắc chắn hữu ích trong giảng dạy và nghiên cứu. Để bày tỏ sự trân trọng và lòng biết ơn đối với thầy tôi xin gửi lời biết ơn chân thành nhất đến thầy và các thầy cô trong Viện Khoa Học Vật liệu tạo mọi điều kiện để tôi hoàn thành luận văn này. ii MỤC LỤC MỞ ĐẦU. 1 CHƯƠNG 1 TỔNG QUAN VỀ TÁN XẠ RAMAN . 5 TĂNG CƯỜNG BỀ MẶT . 5 . Tán xạ Raman . 5 . Tổng quan về tán xạ Raman tăng cường bề mặt. 10 . Các cơ chế tăng cường SERS . 11 . Hệ số tăng cường SERS . 17 . Các loại đế SERS . 20 . Các ứng dụng của SERS. . 25 . Kết luận chương . 26 CHƯƠNG 2 THỰC NGHIỆM . 28 . Chế tạo đế các mảng hạt nano Ag trên đế Si phẳng bằng phương pháp lắng đọng điện hóa . 28 . Tóm tắt quy trình chế tạo . 28 . Sơ đồ hệ chế tạo đế các mảng hạt nano Ag trên đế Si phẳng bằng phương pháp lắng đọng điện hóa . 30 Các phép đo khảo sát .

TÀI LIỆU LIÊN QUAN
TỪ KHÓA LIÊN QUAN
Đã phát hiện trình chặn quảng cáo AdBlock
Trang web này phụ thuộc vào doanh thu từ số lần hiển thị quảng cáo để tồn tại. Vui lòng tắt trình chặn quảng cáo của bạn hoặc tạm dừng tính năng chặn quảng cáo cho trang web này.